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UF840-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: UF840-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF840-TA3-T-VB

UF840-TA3-T-VB概述

    UF840-TA3-T N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    UF840-TA3-T 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 VBsemi 电子公司的产品线。这种 MOSFET 设计主要用于开关电源、马达控制、LED 驱动和各种工业自动化系统等应用领域。由于其低门极电荷和增强的抗压能力和耐受性,使得它非常适合高频率应用场合。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS): 500V
    - 最大持续漏极电流(ID): 13A (TC=25°C), 8.1A (TC=100°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 50A
    - 最大耗散功率(PD): 250W (TC=25°C)
    - 电气特性
    - 最大输入电容(Ciss): 1910pF
    - 输出电容(Coss): 290pF
    - 反向传输电容(Crss): 11pF
    - 总门极电荷(Qg): 81nC
    - 热阻
    - 最大结壳热阻(RthJC): 0.50°C/W

    3. 产品特点和优势


    UF840-TA3-T 具备多种独特的功能和优势:
    - 低门极电荷:减少了驱动要求,简化了驱动电路设计。
    - 增强的坚固性:改善了栅极、雪崩和动态 dv/dt 的鲁棒性。
    - 全范围参数化:包含完全参数化的容量和雪崩电压。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    4. 应用案例和使用建议


    UF840-TA3-T 在开关电源、马达控制和 LED 驱动等领域有着广泛的应用。根据手册提供的典型电路图,以下是一些具体的应用案例和使用建议:
    - 开关电源: 适合高频开关应用,减少损耗。
    - 马达控制: 提供高可靠性和精确控制。
    - LED 驱动: 减少电磁干扰,提高能效。
    使用建议:
    - 确保在高负载情况下,温度不超过最高工作温度限制。
    - 使用适当的 PCB 布局,减少杂散电感,确保良好的散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: UF840-TA3-T 支持广泛的接口标准,如 TO-220AB 封装,适用于大多数通用的驱动器。
    - 技术支持: VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,包括故障排除指南、设计参考和应用笔记。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 门极电荷不足,导致开关速度降低。
    - 解决方案: 调整门极电阻,增加门极驱动电流。
    - 问题2: 漏电流过高。
    - 解决方案: 检查 PCB 布局和接线,确保良好的散热条件。
    - 问题3: 开关频率过低。
    - 解决方案: 优化电路设计,使用更低门极电荷的 MOSFET。

    7. 总结和推荐


    UF840-TA3-T N-Channel MOSFET 综合了出色的性能和可靠性,非常适合高频率、高效率的应用需求。其低门极电荷和增强的鲁棒性使其在许多电力电子应用中表现出色。我们强烈推荐在需要高可靠性、高效能和低电磁干扰的场合使用此产品。
    联系方式:服务热线:400-655-8788

UF840-TA3-T-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Id-连续漏极电流 13A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF840-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF840-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF840-TA3-T-VB UF840-TA3-T-VB数据手册

UF840-TA3-T-VB封装设计

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