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K1507-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K1507-01-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1507-01-VB

K1507-01-VB概述

    K1507-01-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1507-01-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于多种应用场合。该产品具有低导通电阻、高可靠性及卓越的开关性能,广泛应用于服务器、电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统等领域。此外,它还适用于工业控制设备,如高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统的驱动器。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):650 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):25 °C 时为 4.0 A;100 °C 时为 5.4 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):重复脉冲,脉宽受限于最大结温
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 V 至 4.0 V
    - 输入电容 (Ciss): ≤ 1000 pF @ 1 MHz
    - 输出电容 (Coss): ≤ 57 pF @ 1 MHz
    - 反向传输电容 (Crss): ≤ 10 pF @ 1 MHz
    - 总栅极电荷 (Qg): ≤ 57 nC
    - 反向恢复时间 (trr): 190 ns
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 88 mJ
    - 工作温度范围: -55 °C 到 +150 °C
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 0.6 °C/W

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg) 和 低导通电阻 (RDS(on)): 有效降低了开关损耗,提高了整体能效。
    2. 低输入电容 (Ciss): 有助于减少门极驱动电路的负载,提高响应速度。
    3. 优越的散热性能: 最大连续漏极电流可达 4.0 A @ 25 °C,具备良好的热稳定性。
    4. 高可靠性: 重复脉冲下的单脉冲雪崩能量高达 88 mJ,确保在恶劣环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应: 在此类高要求的应用中,K1507-01-VB 的高效能和可靠性能确保了系统的稳定运行。
    - 开关模式电源 (SMPS): 适用于各种开关模式电源的设计,尤其适合对体积和效率有严格要求的应用。
    - 荧光灯和高强度放电灯驱动器: 利用其高耐压能力和快速开关特性,提供高效的灯光驱动解决方案。
    - 工业应用: 如电机驱动、伺服控制系统等,利用其出色的过载保护能力,提升系统整体可靠性。
    使用建议:
    - 在设计时考虑电源系统中的热管理措施,以保持器件的稳定工作状态。
    - 考虑使用适当的门极驱动器,以实现更快的开关速度并减少热损失。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K1507-01-VB 可与市场上常见的开关电源设计兼容,无需额外的硬件调整。
    - 支持: 供应商提供了详尽的技术文档和客户支持服务,确保用户在安装和调试过程中得到充分的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高温环境下出现不稳定现象。
    - 解决方法: 优化系统散热设计,增加散热片或散热风扇,以确保器件在规定的工作温度范围内运行。
    2. 问题: 开关速度较慢,影响整体效率。
    - 解决方法: 确保门极驱动器的配置正确,可以考虑使用更低阻抗的门极电阻以加快开关速度。
    3. 问题: 反向恢复时间较长。
    - 解决方法: 调整外部电路设计,例如增加续流二极管或采用更高效的电路布局,从而缩短恢复时间。

    总结和推荐


    K1507-01-VB 功率 MOSFET 展现了出色的性能和可靠性,特别适用于需要高效能、低损耗的电力电子应用。其高耐压和低栅极电荷特性使得它成为许多工业和商业应用的理想选择。总体而言,我们强烈推荐该产品用于高要求的开关电源和工业控制系统中。如果您需要进一步的技术咨询或支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788 或访问官方网站 www.VBsemi.com 获取更多信息。

K1507-01-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1507-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1507-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1507-01-VB K1507-01-VB数据手册

K1507-01-VB封装设计

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