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K1627-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K1627-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1627-VB

K1627-VB概述

    N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),这是一种广泛应用于高效率电源转换和控制领域的电子元器件。它具有低电阻、高可靠性等特点,适用于服务器、电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明(如高强度放电灯和荧光灯)等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 门极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 5 | V |
    | 门极-源极漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA (VGS = ±20 V) |
    | 无门极电压时漏极电流 | IDSS | - | - | 1 | μA (VDS = 650 V, VGS = 0 V) |
    | 源极-漏极导通电阻 | RDS(on) | - | 1 | Ω (VGS = 10 V) |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 门极电荷 | Qg | - | - | 32 | nC (VGS = 10 V) |

    3. 产品特点和优势


    - 低电阻:该MOSFET具有非常低的RDS(on),这使其在电源转换中表现出色。
    - 低输入电容:低输入电容有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 低栅极电荷:低栅极电荷可以降低驱动能耗,提升系统整体效率。
    - 抗浪涌能力:额定的单脉冲雪崩能量(UIS)确保了其在极端条件下的稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于服务器和电信电源系统中。例如,在数据中心服务器中,它可用于提高电源系统的能效。建议在实际应用中注意散热设计,以确保长期稳定运行。在选择合适的驱动电路时,需要考虑其内部寄生电容的影响,以避免开关瞬间的电压过冲。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET与市面上主流的电源管理系统兼容。制造商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排除手册,确保客户能够顺利部署和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 确认门极驱动电路设计合理,检查栅极电荷参数。 |
    | 系统稳定性差 | 检查散热设计,确认器件工作温度不超过最大允许范围。 |
    | 高频下表现不佳 | 使用更低寄生电容的驱动电路,减小栅极驱动线长度以减少寄生电感。 |

    7. 总结和推荐


    VBsemi公司的N-Channel Power MOSFET是一款高性能的产品,特别适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。其低电阻、低栅极电荷等特点使其在各类电源系统中表现出色。强烈推荐使用此产品,特别是在服务器、电信电源和照明系统等高要求场合。

K1627-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1627-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1627-VB数据手册

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K1627-VB封装设计

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