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K3638-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: K3638-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3638-ZK-VB

K3638-ZK-VB概述


    产品简介


    N-Channel 20-V TrenchFET Power MOSFET
    本文介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 20-V TrenchFET Power MOSFET。该器件采用TO-252封装,具有出色的热管理和高效的电流承载能力。适用于开关电源、电机驱动、汽车电子和消费电子等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 20V
    - 穿透电压 \( V{(BR)DSS} \): 20V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \( ID \): 100A(\( TC \) = 25℃),80A(\( TC \) = 100℃)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200A
    - 源极连续电流 \( IS \): 65A
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \( r{DS(on)} \):
    - \( V{GS} \) = 4.5V, \( ID \) = 100A: 0.0045Ω
    - \( V{GS} \) = 2.5V, \( ID \) = 90A: 0.006Ω
    - 热阻参数
    - 结点到环境最大热阻 \( R{thJA} \): 40°C/W(稳态)
    - 其他参数
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \):
    - \( V{DS} \) = 20V, \( V{GS} \) = 0V: 1μA
    - \( TJ \) = 125℃时:50μA
    - 最大结温和存储温度范围 \( T{J}, T{stg} \): -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    该N-Channel 20-V TrenchFET Power MOSFET具有多个显著的优势,使其在市场上具备强大的竞争力:
    - 高可靠性: 具有高达175℃的最大结温,确保在高温环境下仍能可靠工作。
    - 低导通电阻: 在不同电压和电流条件下,均表现出较低的导通电阻,提高了能效。
    - 高效散热设计: 结点到环境的最大热阻仅为40°C/W,使该器件能够在高温环境下保持良好的散热性能。
    - 百分之百Rg测试: 每个器件都经过严格的Rg测试,保证产品的质量一致性。

    应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、汽车电子及消费电子等领域。例如,在开关电源的应用中,它可以有效地提高转换效率并降低功耗。对于要求高效且可靠的电路设计,该器件是一个理想选择。
    使用建议:
    1. 散热管理: 在使用过程中,应注意确保良好的散热措施,以避免由于过热而导致器件损坏。
    2. 正确安装: 确保按照制造商提供的安装指南进行正确的焊接和固定,避免因接触不良导致性能下降。

    兼容性和支持


    该器件采用标准的TO-252封装,与大多数现有的焊接到印刷电路板上的标准插座兼容。此外,VBsemi提供了全面的技术支持和服务,包括产品手册、设计指南和技术文档,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    问题1: 开机后发现电流异常。
    解决方案: 检查是否超出了额定电流限制,必要时采取外接散热措施。
    问题2: 设备工作一段时间后出现过热。
    解决方案: 检查散热设计是否合理,如有需要可加装散热片或改进散热方案。

    总结和推荐


    总体而言,VBsemi公司的N-Channel 20-V TrenchFET Power MOSFET是一款性能优异的电子元件。它不仅具备卓越的热管理能力和高效的电流承载能力,还具有良好的兼容性和稳定性。特别适合于需要高性能和高可靠性的应用场合。
    我们强烈推荐该产品给对电子产品有着高要求的设计工程师和制造厂商。

K3638-ZK-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 15V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 145A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3638-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3638-ZK-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3638-ZK-VB K3638-ZK-VB数据手册

K3638-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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