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2SK3638-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: 2SK3638-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3638-ZK-VB

2SK3638-ZK-VB概述

    2SK3638-ZK N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK3638-ZK 是一款由台湾 VBsemi 公司生产的 N 沟道 20V(D-S)MOSFET 功率晶体管。它采用了先进的 TrenchFET 技术,主要用于需要高效率、低损耗的应用场景。2SK3638-ZK 可应用于多种电子设备,如开关电源、电机驱动系统、电池充电器和其他功率控制电路。

    2. 技术参数


    以下是2SK3638-ZK的主要技术参数:
    - 工作电压 (VDS): 20V
    - 漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时: 100A
    - TC = 100°C 时: 80A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 200A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时: 71W
    - TA = 25°C 时: 8.3W
    - 结温范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 热阻参数 (RthJA): 40°C/W(稳态)
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 0.5V (最小)
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): -100nA (最大)
    - 导通电阻 (rDS(on)):
    - VGS = 4.5V, ID = 20A, TJ = 125°C: 0.0055Ω
    - VGS = 2.5V, ID = 20A: 0.006Ω

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 最大结温为175°C,确保在极端条件下也能正常工作。
    - 严格的生产测试: 所有产品都经过了100% Rg 测试,确保质量和性能。
    - 低导通电阻: 在不同电压和电流下表现出色,有助于降低功耗和提高效率。
    - 良好的热性能: 热阻较低,有利于散热,延长使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    2SK3638-ZK 在多个应用中表现优秀,例如:
    - 开关电源: 用于提升转换效率并减少热量产生。
    - 电机驱动系统: 提供稳定的电流输出,确保电机平稳运行。
    - 电池充电器: 高效的电流控制有助于快速且安全地充电。
    使用建议:
    - 确保散热片设计合理,以防止温度过高影响器件寿命。
    - 谨慎选择驱动电路,避免过高的栅极电压导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    2SK3638-ZK 适用于多种 TO-252 封装的应用场合,可与标准电源管理 IC 和其他相关电子元件兼容。制造商提供了详细的技术支持文档和专业客服,以帮助客户解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 导通电阻随温度变化较大,影响性能。
    - 解决: 使用合适的散热措施,确保工作温度在允许范围内。
    - 问题: 栅极电压过高导致损坏。
    - 解决: 使用限流电阻或其他保护措施,确保栅极电压在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    2SK3638-ZK 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有出色的可靠性和优良的电气性能。它特别适合于要求高效率和低损耗的应用。通过合理的电路设计和散热措施,可以最大化其性能优势。因此,强烈推荐在上述应用场景中使用该产品。

2SK3638-ZK-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 15V
Id-连续漏极电流 145A
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3638-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3638-ZK-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3638-ZK-VB 2SK3638-ZK-VB数据手册

2SK3638-ZK-VB封装设计

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