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SVD12N60T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: SVD12N60T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SVD12N60T-VB

SVD12N60T-VB概述

    # SVD12N60T N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    SVD12N60T 是一款高性能的N通道功率MOSFET,由VBsemi公司生产。该器件主要用于高效能开关电源(SMPS)及功率因数校正(PFC)电路中。它凭借低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),在降低开关损耗和传导损耗方面表现出色。适用于服务器、电信电源、工业照明和高亮度放电(HID)灯等高要求应用领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 600 | - | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.5 | - | Ω |
    | 门极电荷 | Qg | - | 21 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1471 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 最大持续漏电流 | ID (TJ=150°C) | - | 70 | - | A |
    | 绝对最大结温 | TJ,max | - | - | 150 | °C |
    | 工作温度范围 | Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低损耗设计:具备极低的导通电阻(RDS(on))和门极电荷(Qg),显著降低了开关和传导损耗。
    2. 高可靠性:具有较高的反向恢复能量(EAS)和结到壳热阻(RthJC),适合恶劣的工作环境。
    3. 快速开关性能:优秀的开关特性使器件在高频下表现优异,特别适用于SMPS和PFC电路。
    4. 广泛的适用性:广泛应用于照明、工业设备及高功率转换应用领域。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 服务器和通信设备电源:为高功率密度需求提供可靠的开关解决方案。
    - 工业控制:用于高电流负载开关,例如电机驱动和加热系统。
    - 照明系统:适用于高亮度放电灯和荧光灯驱动电路。
    使用建议
    1. 散热设计:由于该器件的功耗较大,在安装时需要确保良好的散热设计,可以使用适当的散热片来降低结温。
    2. 驱动电路优化:合理配置驱动电阻以减少门极震荡并提高系统稳定性。
    3. 噪声管理:在设计PCB布局时,注意减小寄生电感,提高系统的EMC性能。

    兼容性和支持


    SVD12N60T与同类TO-220封装的其他器件(如IRF系列)具有良好的兼容性,适合替换和升级现有电路设计。VBsemi公司提供详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户解决应用中的各种问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过高的栅极振荡 | 在门极添加RC缓冲电路 |
    | 温度过高导致性能下降 | 加强散热措施,检查散热设计是否合理 |
    | 高频工作下的效率降低 | 确保电路布局符合高速信号要求,降低寄生效应 |

    总结和推荐


    SVD12N60T是一款高效能的N通道功率MOSFET,以其低导通电阻和快速开关性能,成为工业和通信领域不可或缺的选择。其宽广的工作温度范围和优异的可靠性使其成为苛刻环境下的理想解决方案。推荐用于服务器、电信电源和工业照明等高要求场景。
    推荐指数:★★★★★

SVD12N60T-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 9A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

SVD12N60T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SVD12N60T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SVD12N60T-VB SVD12N60T-VB数据手册

SVD12N60T-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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起订量: 10 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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