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K3576-T1B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: K3576-T1B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3576-T1B-A-VB

K3576-T1B-A-VB概述

    N-Channel 20V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    这款N-Channel 20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是VBsemi公司推出的一款高性能功率MOSFET,适用于多种直流转换器和便携应用中的负载开关。其独特的TrenchFET®技术确保了高效的电流传导,适用于多种电子系统中。

    2. 技术参数


    - 最大电压(VDS):20V
    - 最大电流(ID):
    - 在25°C时为6A
    - 在70°C时为5.1A
    - 最大脉冲电流(IDM):20A
    - 最大反向恢复时间(trr):12至20纳秒
    - 最大反向恢复电荷(Qrr):5至10纳库仑
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在4.5V栅源电压下为0.028Ω
    - 在2.5V栅源电压下为0.042Ω
    - 在1.8V栅源电压下为0.050Ω
    - 栅极电荷(Qg):
    - 在10V漏源电压和5V栅源电压下为12至18纳库仑
    - 在10V漏源电压和4.5V栅源电压下为8.8至14纳库仑
    - 封装:SOT-23
    - 热阻(RthJA):最大100°C/W
    - 工作温度范围:-55°C至150°C

    3. 产品特点和优势


    - 环保设计:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素。
    - 高效率:得益于TrenchFET®技术,提供低导通电阻(RDS(on)),从而实现高效的能量传输。
    - 可靠测试:100% Rg测试保证,确保产品质量。
    - RoHS合规:完全符合RoHS指令要求。

    4. 应用案例和使用建议


    该MOSFET特别适合用于直流转换器和便携式应用中的负载开关。例如,在电池供电的设备中作为负载开关使用时,可以有效提高能效并降低发热。在使用过程中,需要注意散热措施以保持设备的长期稳定性。
    - 散热建议:在大电流应用中,确保适当的散热装置,如散热片或风扇,以防止过热。
    - 操作条件:确保在规定的温度范围内操作,避免超出绝对最大额定值。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET与大多数标准电路板兼容,易于集成到现有的设计中。厂商提供全面的技术支持和客户服务,包括详细的文档和快速响应的客户支持热线(400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何处理过温情况?
    - 解决方案:使用散热片或风扇来帮助散热,确保在安全的工作温度范围内运行。
    - 问题:如何正确安装?
    - 解决方案:按照推荐的最小焊盘尺寸进行焊接,确保良好的电气连接和机械稳固性。

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 20V MOSFET凭借其高效能、环保设计和广泛的适用性,在直流转换器和便携应用中表现出色。强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效能量转换的应用中。它不仅能提高系统的可靠性,还能显著提升整体性能。
    该产品在多个应用领域展现出卓越的性能,尤其适用于对高效能和低功耗有严格要求的应用场合。

K3576-T1B-A-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 8V
Id-连续漏极电流 6A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3576-T1B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3576-T1B-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3576-T1B-A-VB K3576-T1B-A-VB数据手册

K3576-T1B-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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型号 价格(含增值税)
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