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K3133S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: K3133S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3133S-VB

K3133S-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的场效应晶体管,适用于多种电子系统。此型号为一款增强型N沟道功率MOSFET,采用TrenchFET®技术。它在各种应用场景中表现出色,包括OR-ing(或非操作)、服务器和DC/DC转换等领域。该器件符合RoHS标准,确保环境友好性。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 30 V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 - 2.5 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时: 0.005 Ω
    - VGS = 4.5 V 时: 0.006 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VGS = 10 V 时: 61 - 107 nC
    - VGS = 4.5 V 时: 31.5 - 50 nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 门源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TJ = 175 °C 时, TC = 25 °C: 90 A
    - TJ = 175 °C 时, TC = 70 °C: 25.8 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 250 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ
    - 热阻抗
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 32 - 40 °C/W
    - 最大结至外壳热阻 (RthJC): 0.5 - 0.6 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 提供更低的导通电阻和更高的电流承载能力。
    - 高可靠性: 所有产品都经过Rg和UIS测试。
    - 温度范围广: 工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适用于极端环境。
    - 环境友好: 符合RoHS指令,对环境无害。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: OR-ing电路、服务器电源和DC/DC转换器。
    - 使用建议: 在设计时,应考虑适当的散热措施,以避免由于过热而导致的损坏。例如,可以使用散热片或冷却风扇来帮助散热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 此MOSFET与其他标准的N沟道功率MOSFET具有良好的兼容性,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持和服务: 台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和客户服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热。
    - 解决方案: 检查并改进散热方案,如增加散热片或使用更高效的冷却系统。
    - 问题: 电流不稳定。
    - 解决方案: 确保所有连接牢固,并检查负载是否正常。
    - 问题: 寿命短。
    - 解决方案: 定期维护和检查,避免过载运行。

    7. 总结和推荐


    该N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的功率MOSFET,具备低导通电阻和高可靠性,适合在多种应用场景中使用。其广泛的温度适应性和环境友好的特性使其成为市场上的优选产品。我们强烈推荐在需要高性能和可靠性的应用场景中使用此产品。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请联系台湾VBsemi公司的客户服务团队,电话:400-655-8788。

K3133S-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 60A
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3133S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3133S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3133S-VB K3133S-VB数据手册

K3133S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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