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K3326-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: K3326-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3326-VB

K3326-VB概述

    # K3326-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本信息
    K3326-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),具备优良的开关性能。适用于多种高压及高功率电子设备,广泛应用于电源管理、电机控制、直流到交流转换等领域。
    主要功能
    - 降低门极电荷Qg,简化驱动要求。
    - 改善门极、雪崩及动态dv/dt的坚固性。
    - 全面表征电容和雪崩电压。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC标准。

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS (V) | 漏源击穿电压 | - | - | 500 | V |
    | RDS(on) (Ω) | 导通电阻 | - | 0.660 | - | Ω (当VGS=10V时) |
    | Qg (nC) | 总门极电荷 | - | - | 81 | nC |
    | Qgd (nC) | 门极-漏极电荷 | - | - | 36 | nC |
    | Qgs (nC) | 门极-源极电荷 | - | - | 20 | nC |
    | IDM (A) | 脉冲漏极电流 | - | - | 50 | A |
    | EAS (mJ) | 单脉冲雪崩能量 | - | - | 560 | mJ |
    | PD (W) | 最大耗散功率 | - | 250 | - | W |
    | TJ (°C) | 工作结温和存储温度范围 | -55 | - | +150 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低门极电荷:降低门极电荷Qg,使得驱动电路设计更加简单,减少驱动损耗。
    - 增强坚固性:具有出色的门极、雪崩及动态dv/dt性能,确保在高压、高电流环境下依然稳定可靠。
    - 全面表征:提供详细的电容和雪崩电压表征数据,确保产品性能的一致性和可靠性。
    - 环保材料:符合RoHS标准,采用环保材料生产,无铅无卤,满足绿色环保要求。
    市场竞争力
    K3326-VB MOSFET凭借其卓越的性能和稳定的可靠性,在高压电力转换和电机控制领域表现出色。其在驱动电路简化方面的优势使其成为现代电子设备中的理想选择。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    K3326-VB MOSFET 适用于多种高压电力设备,如电动机控制板、电源逆变器等。典型应用场景包括工业自动化控制系统、新能源汽车电池管理系统、光伏逆变器等。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应考虑增加散热措施,以避免过热导致的失效。
    - 设计驱动电路时,注意调整门极电阻以优化驱动效率。
    - 高频开关操作时,需关注电磁干扰问题,适当采取屏蔽措施。

    兼容性和支持


    K3326-VB MOSFET 支持广泛的电路配置,易于与其他电子元器件集成。厂商提供详细的技术文档和支持,涵盖安装、调试、故障排查等方面,确保客户能够充分发挥其性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时出现瞬态过压现象
    - 解决方案:调整驱动电路,增加适当的缓冲电路以吸收瞬态过电压。
    2. 问题:导通电阻偏高
    - 解决方案:检查门极驱动电压是否达到最佳水平;若仍存在问题,考虑更换为更低RDS(on)的型号。
    3. 问题:温度过高导致失效
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用散热片或散热风扇。

    总结和推荐


    评估

    总结


    K3326-VB MOSFET 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备低门极电荷、高耐用性、全面表征等优势。其适用性强、性能稳定,特别适合于高压、高功率的应用场合。
    推荐意见
    综上所述,K3326-VB MOSFET 在设计复杂且对性能要求较高的电子系统中表现出色,强烈推荐用于高压电力管理和控制设备的设计中。

K3326-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 13A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3326-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3326-VB数据手册

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K3326-VB封装设计

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