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SQ3460EV-T1-GE3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6 具有小型封装和低功耗特性,能够满足小型电子设备和低功率应用的要求,是一款适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。
供应商型号: SQ3460EV-T1-GE3-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SQ3460EV-T1-GE3-VB

SQ3460EV-T1-GE3-VB概述

    N-Channel 30V (D-S) MOSFET SQ3460EV-T1-GE3 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30V (D-S) MOSFET(型号SQ3460EV-T1-GE3)是一款由VBsemi公司生产的电子元器件。它属于场效应晶体管(MOSFET),具有低导通电阻(RDS(on))和高开关速度的特点。主要应用于DC/DC转换器和其他需要高速切换的应用场合。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时:0.023 Ω
    - VGS = 4.5 V 时:0.027 Ω
    - 持续漏极电流 (ID):
    - TA = 25°C 时:6A
    - TA = 70°C 时:4.4A
    - 最大瞬态漏极电流 (IDM):25A
    - 最大栅源电压 (VGS):± 20V
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TA = 25°C 时:2.5W
    - TA = 70°C 时:1.6W
    - 热阻 (RthJA):
    - 最大值:100°C/W
    - 最小值:75°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:SQ3460EV-T1-GE3 的导通电阻非常低,确保了高效能的能量传输和较低的损耗。
    2. 高可靠性:所有产品均经过100%测试,符合RoHS标准,适合长期可靠运行。
    3. 快速开关速度:适用于高频切换应用,减少了能量损失和热应力。
    4. 环保材料:采用无卤素材料,符合IEC 61249-2-21定义。

    应用案例和使用建议


    - DC/DC转换器:该MOSFET非常适合用于高效率的DC/DC转换器,可以减少电路中的能量损耗,提高整体系统效率。
    - 电源管理:由于其低导通电阻和快速开关能力,该MOSFET在电源管理系统中表现优异,适用于多种负载条件。
    - 推荐使用条件:在使用过程中,建议保持MOSFET的环境温度在-55°C至150°C范围内,以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:SQ3460EV-T1-GE3 与市场上常见的电路板设计高度兼容,可用于多种标准封装。
    - 技术支持:VBsemi提供全面的技术支持和维护服务,如有疑问或需要帮助,可通过服务热线400-655-8788联系。

    常见问题与解决方案


    - Q: 过高的栅极电压会损坏器件吗?
    - A: 是的,绝对最大额定值中列出了栅极电压的极限值为±20V,超过此电压可能导致永久性损坏。应确保电压在安全范围内使用。
    - Q: 如何测量导通电阻 (RDS(on))?
    - A: 使用数字万用表测量VGS = 10V或4.5V下的漏极电流和电压降,通过公式 RDS(on) = VDS / ID 计算得到。

    总结和推荐


    N-Channel 30V (D-S) MOSFET SQ3460EV-T1-GE3 是一款高性能的电子元器件,具备低导通电阻、快速开关速度等显著优点。适合于DC/DC转换器及其他需要高效能、高速度的应用场合。强烈推荐给需要高可靠性和低功耗的设计师们。

SQ3460EV-T1-GE3-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,40mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SQ3460EV-T1-GE3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SQ3460EV-T1-GE3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SQ3460EV-T1-GE3-VB SQ3460EV-T1-GE3-VB数据手册

SQ3460EV-T1-GE3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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