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K5P50D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: K5P50D-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K5P50D-VB

K5P50D-VB概述

    K5P50D N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K5P50D 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高压电力转换和控制应用。
    - 主要功能:
    - 高击穿电压:最大为 650V。
    - 低导通电阻:VGS=10V 时 RDS(on) 为 0.95Ω。
    - 快速开关:具有低门极电荷(Qg),以简化驱动要求。

    - 应用领域:
    - 电源管理
    - 工业电机控制
    - 通信设备
    - 汽车电子
    - 照明系统

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS=10V 时 0.95Ω
    - 总门极电荷(Qg):15nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):3nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):6nC
    - 最大脉冲门极电流(IGSS):±100nA
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):最大 100μA @ 520V, TJ=125°C
    - 热阻抗(RthJA):待定
    - 最大工作温度(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 封装类型:TO-220AB、TO-252 和 TO-251

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:简化驱动需求,提高能效。
    - 增强的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐受力:提供更高的可靠性。
    - 全面的电容和雪崩电压电流表征:确保更精确的应用评估。
    - 符合 RoHS 规范:环保且无有害物质。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:在工业电机控制中的高效功率转换。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,注意选择合适的栅极电阻(RG),以满足驱动电流和速度要求。
    - 确保电路中的散热良好,避免过热问题。
    - 注意峰值电流限制,避免损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准电源和控制系统。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和应用指南,以帮助用户更好地利用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:设备启动时出现过热。
    - 解决方案:检查散热片是否安装正确,并增加外部散热措施。
    - 问题 2:门极驱动不稳定。
    - 解决方案:使用更稳定的门极驱动电路,确保门极电荷合适。

    7. 总结和推荐


    K5P50D N-Channel MOSFET 是一款高性能的高压功率器件,特别适合需要高可靠性和高效率的应用。其低门极电荷和增强的耐受性使其在各种应用场景中表现出色。强烈推荐在工业、汽车和通信等领域使用。
    综合评估:
    - 优点:
    - 高性能、高可靠性。
    - 环保且无有害物质。
    - 完善的技术支持和应用指南。
    - 推荐:
    - 高度推荐用于高压电力转换和控制应用。

K5P50D-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K5P50D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K5P50D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K5P50D-VB K5P50D-VB数据手册

K5P50D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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