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K2022-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2022-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2022-01MR-VB

K2022-01MR-VB概述

    Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管) 是一种高效的电子开关元件,广泛应用于服务器和通信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明和工业领域。其设计目的是通过减少开关和导通损耗来提高能源效率,同时提供优异的性能表现。本产品特别适用于需要高可靠性、低功耗和高能效的应用场景。

    技术参数


    以下是产品的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 650 V |
    | 漏源击穿电压(TJ max) | VDS(max) 650 | V |
    | 栅极源极阈值电压 | VGS(th) | 2.5 5 | V |
    | 栅极漏极电容 | Crss | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 32 nC |
    | 导通电阻 | RDS(on) 1.0 Ω |
    | 零门压漏电流 | IDSS 1 μA
    | 绝对最大栅极电压 | VGS | ±30 V |
    | 绝对最大连续漏电流 | ID 10 A
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 97 | mJ |
    其他支持参数还包括:
    - 高速开关特性
    - 低输入电容 (Ciss)
    - 冲击电流耐受能力

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:显著降低功率损耗,提高效率。
    2. 低栅极电荷:有效缩短开关时间,减少动态功耗。
    3. 高雪崩耐受能力:能够承受高压瞬态冲击,确保稳定性。
    4. 卓越的热管理能力:RthJA为63°C/W,RthJC为0.6°C/W,可快速散热。
    5. 宽温度范围:能够在-55°C到+150°C的环境中稳定运行。

    应用案例和使用建议


    此 Power MOSFET 可用于以下典型应用:
    - 服务器和通信电源:提供高效节能解决方案。
    - 照明系统:如高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡。
    - 工业控制:适合恶劣工况下的工业应用。
    使用建议:
    - 在设计电路时需充分考虑元件散热,建议添加外部散热片以提高使用寿命。
    - 确保驱动电路的门极驱动电阻阻值合适,以避免过高的开关损耗。
    - 在高压或高速开关场合中,注意 PCB 布局的低感性设计。

    兼容性和支持


    该器件采用 TO-220 Fullpak 封装,与市面上主流的驱动芯片和控制器高度兼容。VBsemi 提供详尽的技术文档和良好的售后服务,包括在线技术支持和定期培训课程,帮助客户快速掌握产品应用。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整门极驱动电阻至合理范围。 |
    | 温度过高 | 增加外部散热措施,优化 PCB 设计。 |
    | 漏电流异常高 | 检查电路连接是否正确,避免反向偏置。|

    总结和推荐


    VBsemi 的这款 Power MOSFET 以其出色的性能和高可靠性,在服务器、通信设备和工业应用中具有明显的优势。它结合了低导通电阻、高开关速度和优秀的耐久性,是实现高效能设计的理想选择。对于需要高性能和长期稳定性的项目,强烈推荐选用该产品。如有进一步疑问,欢迎联系客服热线:400-655-8788。
    推荐指数:★★★★★

K2022-01MR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2022-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2022-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2022-01MR-VB K2022-01MR-VB数据手册

K2022-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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