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UT4406L-S08-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8\n适用于低功率控制和驱动应用,包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。
供应商型号: UT4406L-S08-T-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4406L-S08-T-VB

UT4406L-S08-T-VB概述

    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET UT4406L-S08-T 技术手册

    产品简介


    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能的功率电子元器件,适用于多种电子应用场合。这款产品采用了TrenchFET®技术,具备出色的电气特性和热性能,广泛应用于同步整流、电源管理和工业控制等领域。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压 | ± 20 ± 20 | V |
    | 漏源击穿电压 | 40 40 | V |
    | 阈值电压 | 1 | 3 V |
    | 漏极连续电流 12.4 | 50 | A |
    | 漏源导通电阻 | 0.014 0.016 | Ω |
    | 零栅电压漏极电流 | 1 5 | µA |
    | 输出电容 | 260 pF |
    | 输入电容 | 2000 pF |
    | 逆向转移电容 | 150 pF |
    | 热阻 | 37 50 | °C/W |
    | 工作温度范围 | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准。
    - 100% Rg测试:确保所有生产的产品都经过了栅极电阻测试。
    - 100% UIS测试:保证产品质量,确保无雪崩失效。
    - 符合RoHS指令:满足欧盟关于有害物质限制的指令要求。

    应用案例和使用建议


    该N-Channel 40-V (D-S) MOSFET特别适用于同步整流和电源管理领域,如POL(点负载)转换器、IBC(输入总线转换器)中的二次侧应用。此外,它还可以用于各种工业控制系统和电机驱动系统中。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,应注意选择合适的栅极电阻以减少开关损耗。
    - 在设计电路时,考虑到散热问题,确保适当的散热措施,如使用散热片或散热板。

    兼容性和支持


    该产品采用SO-8封装,具有较好的通用性和兼容性,可方便地与其他电路板上的电子元器件连接。厂商提供全面的技术支持和服务热线(400-655-8788),帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开关速度慢怎么办?
    - A: 调整栅极电阻,减小栅极电阻值可以加快开关速度。

    - Q: 温度过高如何处理?
    - A: 使用散热片或散热板加强散热,避免长时间高功率运行。

    - Q: 如何提高可靠性?
    - A: 确保良好的电路布局和布线,避免寄生电感和电容的影响,同时确保适当的冷却措施。

    总结和推荐


    UT4406L-S08-T N-Channel 40-V (D-S) MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件。其优秀的电气特性、热性能以及广泛的适用范围使其成为各种电力管理和控制系统中的理想选择。强烈推荐在需要高效能和高稳定性的应用中使用该产品。

UT4406L-S08-T-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@10V,16mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4406L-S08-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4406L-S08-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4406L-S08-T-VB UT4406L-S08-T-VB数据手册

UT4406L-S08-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
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