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KF7N50F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: KF7N50F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF7N50F-VB

KF7N50F-VB概述

    # KF7N50F Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KF7N50F 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率应用。该器件具有极低的导通电阻和优秀的开关特性,特别适合在服务器电源、电信电源、功率因数校正电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)以及工业应用中使用。它采用 TO-220 FULLPAK 封装,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650 V
    - 最大连续漏电流 (ID):15 A (TJ = 25°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDS):130 A (单脉冲)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.16 Ω (VGS = 10 V, TJ = 25°C)
    - 总栅极电荷 (Qg):10 nC (VGS = 10 V, ID = 4 A, VDS = 520 V)
    - 输入电容 (Ciss):1450 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):400 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 反向转移电容 (Crss):120 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)

    产品特点和优势


    KF7N50F 的主要特点包括:
    - 低栅极电荷 (Qg):这有助于减少开关损耗,提高能效。
    - 低栅极输入电容 (Ciss):有助于降低驱动电路的负担。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在大电流下保持较低的导通损耗。
    - 高可靠性:通过 UL 认证,适用于多种高要求环境。
    - 宽温度范围:可适应从 -55°C 到 +150°C 的工作温度范围。
    这些特点使其成为各种高功率应用的理想选择,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    KF7N50F 可用于多种应用场景,例如:
    - 服务器和电信电源:KF7N50F 能够提供稳定的电源输出,确保系统的可靠运行。
    - 开关模式电源 (SMPS):利用其低损耗特性,实现更高的效率和更低的发热。
    - 高亮度放电灯:利用其快速开关特性,满足高频率开关的需求。
    使用建议:
    - 确保在设计中充分考虑散热,以避免过热。
    - 使用合适的栅极驱动电路来减小栅极电荷的影响。
    - 在高湿度环境下使用时,确保电路板有足够的防水措施。

    兼容性和支持


    KF7N50F 设计时充分考虑了与现有系统的兼容性。厂商提供了详细的技术支持和维护服务,包括应用指南和技术咨询,帮助客户顺利集成到其项目中。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下,MOSFET 过热导致失效。
    - 解决办法:增加散热片或使用强制风冷,以有效降低器件温度。
    - 问题:栅极电荷过高,导致开关速度下降。
    - 解决办法:选用合适的栅极驱动器,减少栅极电荷的影响。

    总结和推荐


    KF7N50F 作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有优异的开关特性和极低的导通电阻,非常适合高功率应用。其高可靠性、宽温度范围以及全面的支持服务使得它在市场上具备较强的竞争力。推荐在对功率转换效率和可靠性要求较高的应用中使用。
    如果您正在寻找一款高效、可靠的高功率 MOSFET,KF7N50F 绝对是一个值得考虑的选择。

KF7N50F-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF7N50F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF7N50F-VB数据手册

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KF7N50F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
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500+ ¥ 3.1093
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