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K1221-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K1221-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1221-VB

K1221-VB概述

    K1221-VB 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1221-VB 是一款由VBsemi推出的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这款MOSFET具有动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关能力和易于并联等特点。它广泛应用于各种电力转换和控制电路中,如电机驱动、电源转换、逆变器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 标称值 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压(VDS) | - | 250 | - | V |
    | 栅源电压(VGS) | - | ±20 | - | V |
    | 持续漏极电流(ID) | TC=25°C, VGS=10V | - | 14 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | - | - | 56 | A |
    | 最大结温(TJ) | - | -55 | +150 | °C |
    | 最大反向恢复电压(dV/dt) | - | - | 4.8 | V/ns |
    | 最大单脉冲雪崩能量(EAS) | - | - | 550 | mJ |
    | 最大重复雪崩电流(IAR) | - | - | 14 | A |
    | 最大重复雪崩能量(EAR) | - | - | 13 | mJ |
    | 最大功率耗散(PD) | TC=25°C | - | 125 | W |
    | 静态漏源导通电阻(RDS(on)) | VGS=10V, ID=8.4A | - | - | Ω |
    | 输入电容(Ciss) | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz | - | 1300 | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | - | 330 | pF |
    | 反向转移电容(Crss) | - | - | 85 | pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | ID=7.9A, VGS=10V, VDS=200V | - | 8 | nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | - | - | 11 | nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | - | - | 35 | nC |

    产品特点和优势


    - 动态dv/dt额定值:确保在高dv/dt条件下可靠工作。
    - 重复雪崩额定值:能够在重复雪崩条件下工作。
    - 快速开关能力:减少开关损耗,提高效率。
    - 易于并联:便于多管并联以适应更高电流需求。
    - 简单的驱动要求:减少对外部驱动电路的要求。

    应用案例和使用建议


    K1221-VB MOSFET可应用于多种电力转换和控制电路中,如:
    - 电机驱动:适用于各种工业和消费类电机控制。
    - 电源转换:用于直流-交流逆变器和直流-直流转换器。
    - 逆变器:适用于太阳能逆变器和不间断电源系统。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免因过热导致的损坏。
    - 在设计电路时,考虑到MOSFET的输入和输出电容对信号的影响。
    - 使用低泄漏电感的电路布局,以减小反向恢复过程中的振荡。

    兼容性和支持


    K1221-VB MOSFET与市场上常见的电源转换和控制电路兼容。VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中得到及时帮助。此外,该产品符合RoHS标准和无卤素要求,满足环保需求。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET过热损坏
    - 解决方案:确保良好的散热措施,使用适当的散热片或冷却风扇。
    2. 问题:驱动电路设计不当
    - 解决方案:参考手册中的典型驱动电路进行设计,确保合适的栅极电阻和驱动电压。
    3. 问题:反向恢复电压过高
    - 解决方案:选择合适电感值的滤波电感,减小di/dt,降低反向恢复电压。

    总结和推荐


    K1221-VB MOSFET是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备出色的动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值和快速开关能力。它广泛适用于各类电力转换和控制电路,尤其适合需要快速响应和高可靠性应用的场合。鉴于其卓越的性能和良好的兼容性,我们强烈推荐使用此产品。
    如有任何疑问或技术支持需求,可联系我们的服务热线:400-655-8788。

K1221-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1221-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1221-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1221-VB K1221-VB数据手册

K1221-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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