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K3755-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3755-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3755-VB

K3755-VB概述

    # K3755-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3755-VB 是由VBsemi公司生产的一款N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高可靠性、低导通电阻等特点。该产品广泛应用于电源管理、驱动电路及各类电机控制等场合。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 门阈电压(VGS(th)):1 ~ 3 V
    - 门体泄漏电流(IGSS):± 100 nA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.010 Ω @ VGS = 10 V, ID = 20 A
    动态参数
    - 输入电容(Ciss):2650 pF @ VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
    - 输出电容(Coss):470 pF
    - 反向传输电容(Crss):225 pF
    - 总栅极电荷(Qg):47 ~ 70 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):10 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):12 nC
    时序参数
    - 开启延迟时间(td(on)):10 ~ 20 ns
    - 上升时间(tr):15 ~ 25 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):35 ~ 50 ns
    - 下降时间(tf):20 ~ 30 ns
    绝对最大额定值
    - 门源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流(ID):70 A @ TC = 25 °C
    - 脉冲漏极电流(IMD):200 A
    - 最大功耗(PD):136 W @ TC = 25 °C
    - 存储温度范围(Tstg):-55 °C ~ 175 °C
    热阻抗
    - 结到环境热阻抗(RthJA):15 ~ 18 °C/W
    - 结到外壳热阻抗(RthJC):0.85 ~ 1.1 °C/W

    产品特点和优势


    K3755-VB 具备以下显著特点和优势:
    - 高工作温度:结温可达175°C,适应严苛的工作环境。
    - 低导通电阻:RDS(on)仅为0.010Ω,可降低功率损耗,提高效率。
    - 高速开关:具备快速的开启和关断时间,适合高频工作场合。
    - 高可靠性和耐用性:采用先进的TrenchFET技术,确保在恶劣环境下的长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K3755-VB 可应用于多种场合,例如:
    - 电源管理:如DC-DC转换器、线性稳压器。
    - 电机控制:如直流电机、步进电机控制。
    - 驱动电路:如LED驱动、马达驱动。
    使用建议
    - 在使用过程中,要严格控制门源电压VGS,避免超过其绝对最大额定值±20V。
    - 为保证散热效果,建议选用大尺寸散热片或散热风扇,尤其是在高温环境下。
    - 尽量选择低寄生电容和电感的布局方式,以减小电磁干扰。

    兼容性和支持


    - K3755-VB 与主流的电路板设计兼容,能够直接替换传统MOSFET。
    - 厂商提供详尽的技术支持文档和专业的售后咨询服务,确保客户在使用过程中无后顾之忧。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常增大 | 检查门源电压VGS是否满足要求,必要时调整电压或更换设备。 |
    | 开关速度慢 | 检查外部电路是否有较大的寄生电容和电感,优化布线设计。 |
    | 发热严重 | 加强散热措施,确保良好的通风和接触面积。 |

    总结和推荐


    K3755-VB 是一款高性能、高可靠性的N沟道60V MOSFET,适用于多种高压和高频应用场景。其优越的电气特性和出色的温度适应性使其成为众多电子设计的理想选择。如果您正在寻找一款能应对复杂工况的MOSFET,K3755-VB将是一个值得考虑的选择。
    综上所述,强烈推荐您在需要高可靠性和高性能MOSFET的应用场景中选用K3755-VB。

K3755-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,12mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 70A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3755-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3755-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3755-VB K3755-VB数据手册

K3755-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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