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K3043-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K3043-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3043-VB

K3043-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    本文档描述的是一个高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),用于高要求的电源管理和电力转换应用。这种MOSFET具备低导通电阻(Ron)和低栅极电荷(Qg)的特点,使得它在服务器、电信设备、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应器及各种照明和工业应用中表现出色。

    技术参数


    以下是该MOSFET的关键技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大连续漏电流 (ID): 25A(TJ=150°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 25A
    - 最高工作温度: 150°C
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 最大耗散功率 (PD): 2W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.5~5V
    - 导通电阻 (RDS(on))(VGS=10V, ID=4A): 1Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 13nF
    - 输出电容 (Coss): 12nF
    - 反向传输电容 (Crss): 10nF
    - 总栅极电荷 (Qg): 13nC
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 63°C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.6°C/W

    产品特点和优势


    该MOSFET具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻与栅极电荷:通过降低Ron和Qg,可以减少导通和开关损耗。
    - 高可靠性:能够在极端条件下可靠运行,保证了长期稳定工作。
    - 低输入电容:可以有效降低电路中的容性负载,提高系统的效率。
    - 良好的热稳定性:具有较低的热阻特性,有助于散热管理。
    - 适应多种应用环境:适用于各种严苛的应用场合,如高功率电源、工业控制等领域。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    该MOSFET广泛应用于服务器和电信设备的电源管理,SMPS、PFC电源供应器,高亮度放电(HID)照明,荧光灯镇流器照明,以及工业应用中。尤其在高频率和高功率密度的环境下表现出色。
    使用建议
    - 在使用前,需对电路进行详尽的设计,考虑电路布局和布线以降低寄生电感。
    - 确保电路具有充分的散热设计,避免过热。
    - 在高频率开关应用中,要注意电路寄生电感的影响,适当增加并联电容或其它补偿措施来改善性能。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准TO-220封装的电源管理电路板兼容。制造商提供详细的技术文档和售后服务,确保用户能够顺利部署和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 温度过高导致失效
    2. 高频开关时出现振铃现象
    3. 在特定应用中出现不可预期的性能下降
    解决方案
    1. 温度过高导致失效
    - 确保有良好的散热措施,如增加散热片或散热风扇。
    2. 高频开关时出现振铃现象
    - 调整驱动电路的栅极电阻 (Rg),使其达到合适的驱动速率。
    3. 在特定应用中出现不可预期的性能下降
    - 验证电路中的电容值和电感值是否符合应用需求。

    总结和推荐


    综上所述,这款N沟道功率MOSFET凭借其卓越的性能指标和广泛的应用范围,在高效率电源管理和电力转换领域具备显著优势。特别适合于高功率、高效率的应用环境。我们强烈推荐使用此产品以提升系统性能和可靠性。

K3043-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3043-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3043-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3043-VB K3043-VB数据手册

K3043-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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