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K3228-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: K3228-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3228-01-VB

K3228-01-VB概述

    # K3228-01-VB N-Channel 80V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    K3228-01-VB 是一款由 VBsemi 推出的 N-Channel TrenchFET® 功率 MOSFET,适用于多种电子系统设计中的高效率开关应用。它具有出色的耐久性和高可靠性,被广泛应用于直流/交流逆变器、LED 背光电源、同步整流电路以及初级侧开关等多种场合。
    主要功能
    - 支持高达 80V 的耐压能力(Drain-Source Voltage)。
    - 通过严格的测试标准,确保每个器件都能承受高电压冲击(UIS 测试)和门极电阻限制(Rg 测试)。
    - 具备优秀的导通性能,具有低至 7mΩ 的典型导通电阻(RDS(on)),适合需要高效功率转换的应用场景。
    应用领域
    - 初级侧开关:适合作为高效能 DC/DC 转换器的核心元件。
    - 同步整流:减少传统二极管整流带来的损耗。
    - DC/AC 逆变器:用于家用电器及工业设备中的电力调节。
    - LED 背光驱动:提供稳定高效的光源供电解决方案。

    技术参数


    以下列出了 K3228-01-VB 的关键技术和性能指标:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | 3.5 V |
    | 栅极-源极漏电流 | IGSS | - | ±100 nA |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | - | 7 | 9 | mΩ |
    | 额定漏极电流 | ID | - | 100 A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | - | 30 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 45 | mJ |
    其他重要参数还包括温度系数(mV/°C)、总栅极电荷(Qg)等细节,请参考完整数据表。

    产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽式结构设计,显著降低了导通电阻。
    - 高可靠性:100% 经过 UIS 和 Rg 测试,确保在极端条件下的稳定性。
    - 低功耗:由于出色的导通性能,可有效降低系统的热耗散需求。
    市场竞争力
    相比传统 MOSFET,K3228-01-VB 在效率、成本和性能上均表现出色,尤其适用于对空间紧凑且性能要求高的应用场景,如消费类电子产品和工业控制设备。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. LED 照明系统:利用其低功耗特性为 LED 驱动电路提供最佳性能。
    2. 通信设备电源模块:作为高频开关器件,提高整体电源效率。
    3. 工业自动化设备:用作电机控制器中的核心功率管理元件。
    使用建议
    - 选择合适的驱动电路以最大化发挥其低 RDS(on) 的优势。
    - 注意 PCB 设计中的散热管理,避免因高温导致性能下降。

    兼容性和支持


    K3228-01-VB 采用标准 TO-220AB 封装,易于集成到现有电路板中。VBsemi 提供全面的技术支持,包括样品申请、技术文档下载以及专业工程师咨询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化散热设计,增加外部散热片或风扇。 |
    | 导通电阻偏高 | 检查 VGS 是否满足最低门限电压要求。 |

    总结和推荐


    综合评估
    K3228-01-VB N-Channel 80V MOSFET 凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,成为众多设计者的首选方案。其低导通电阻、高耐压能力和广泛的适用性使其在市场上极具竞争力。
    推荐结论
    强烈推荐给需要高性能功率转换解决方案的设计团队。无论是研发阶段还是量产阶段,这款器件都表现出色,能够帮助客户快速推出高品质产品。如有进一步疑问,请联系服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多支持。

K3228-01-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3228-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3228-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3228-01-VB K3228-01-VB数据手册

K3228-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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