处理中...

首页  >  产品百科  >  K3156-VB

K3156-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,45A,RDS(ON),45mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K3156-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3156-VB

K3156-VB概述

    K3156-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3156-VB 是一款 N-Channel 150V (D-S) 的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 Power MOSFET 系列。其主要功能是在开关电源和其他高电流应用中作为主侧开关。这款 MOSFET 广泛应用于电源管理和控制、电机驱动、逆变器等领域。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):150V
    - 门源电压 \( V{GS} \):± 20V
    - 额定连续漏极电流 \( ID \):50A(\( TJ = 175 °C \))
    - 静态特性:
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):0.030Ω @ \( V{GS} = 10V, ID = 15A \)
    - 导通电流 \( I{D(on)} \):80A @ \( V{DS} \geq 5V, V{GS} = 10V \)
    - 动态特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \):2500 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):290 pF
    - 转移电容 \( C{rss} \):190 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):38 nC 至 60 nC
    - 门源电荷 \( Q{gs} \):13 nC
    - 门漏电荷 \( Q{gd} \):13 nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \):15 ns 至 25 ns
    - 上升时间 \( tr \):130 ns 至 200 ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \):30 ns 至 45 ns
    - 下降时间 \( tf \):90 ns 至 140 ns
    - 热阻:
    - 结到环境热阻 \( R{thJA} \):40 °C/W
    - 结到外壳热阻 \( R{thJC} \):0.9 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:提供更低的导通电阻和更好的热性能。
    - 高工作温度:可在高达 175 °C 的结温下稳定工作。
    - 低热阻封装:通过优化设计,减少热阻,提高效率。
    - PWM 优化:适用于高频 PWM 信号的电源转换应用。
    - 符合 RoHS 标准:无铅环保材料,符合欧洲有害物质限制指令。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:K3156-VB 可用于典型的开关电源设计中,作为主侧开关,以实现高效的电源管理。
    - 电机驱动:适用于直流电机的驱动电路,能够承受大电流冲击。
    - 逆变器:在光伏逆变器和其他逆变器应用中,提供可靠的开关性能。
    使用建议
    - 在高电流应用中,确保良好的散热设计,以避免热失控。
    - 选择合适的 PCB 布局,确保栅极和源极之间的走线尽可能短,以减少寄生电感。
    - 在开关频率较高的应用中,考虑使用适当的旁路电容来减小开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    K3156-VB 采用标准 TO-220AB 封装,与市场上大多数电源管理电路板兼容。制造商提供详细的技术支持和售后保障,包括快速响应的技术支持热线(400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的漏源电压会导致击穿。
    - 解决方案:确保应用中的最大工作电压不超过 150V,并适当使用保护电路。

    - 问题:热阻较高导致结温升高。
    - 解决方案:采用外部散热片或强制风冷系统,以提高散热效果。
    - 问题:高频工作时开关损耗增大。
    - 解决方案:选用更小的栅极电荷值的产品,或优化电路设计以减少寄生电感。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K3156-VB N-Channel MOSFET 在开关电源、电机驱动和逆变器等应用中表现出色,具备优良的耐高温性能和高可靠性。我们强烈推荐此款 MOSFET 用于需要高效、可靠电源管理的应用场合。

K3156-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 45A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3156-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3156-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3156-VB K3156-VB数据手册

K3156-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504