处理中...

首页  >  产品百科  >  K7A60W-VB

K7A60W-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K7A60W-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K7A60W-VB

K7A60W-VB概述


    产品简介




    N-Channel 650V Power MOSFET

    该产品是一款高性能的N沟道650V功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),具有低导通电阻和高耐压的特点。广泛应用于服务器和通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯照明)等工业应用场合。


    技术参数




    - 最大耐压(VDS):650V
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)):0.021Ω (典型值)
    - 总栅极电荷(Qg):43nC
    - 输入电容(Ciss):68pF
    - 栅源电荷(Qgs):5nC
    - 栅漏电荷(Qgd):22nC
    - 反向恢复时间(trr):345ns
    - 零门电压漏电流(IDSS):1μA (VDS=650V, VGS=0V)

    工作环境:
    - 工作温度范围(TJ):-55°C至+150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C至+150°C


    产品特点和优势




    - 低损耗:具备低栅极电荷和极低的导通电阻,有效减少开关和传导损耗。
    - 高可靠性:通过优化的设计降低热阻,确保在高温下的可靠运行。
    - 优越的电气特性:提供低输入电容,降低驱动损耗,提升效率。


    应用案例和使用建议




    应用案例:
    1. 服务器和电信电源:在这种应用中,该MOSFET能够提供高效的电能转换,适用于各种负载变化情况。
    2. 工业应用:例如工业控制设备,利用其高耐压特性应对高压环境。

    使用建议:
    - 在电路设计时,建议合理选择外部栅极电阻以优化开关时间和降低损耗。
    - 使用高质量的PCB布局,以减少寄生电感和提高散热效果。


    兼容性和支持




    - 兼容性:该MOSFET与主流的驱动器和控制器兼容,能够轻松集成到现有的电源系统中。
    - 支持和服务:提供详细的使用说明和技术支持,确保客户在使用过程中获得最佳体验。


    常见问题与解决方案




    - 问题1:如何正确计算栅极电荷?
    解决方案:利用栅极电荷波形图(Fig. 16)和测试电路(Fig. 17)进行准确测量。

    - 问题2:如何减少开关损耗?
    解决方案:选用低栅极电荷的MOSFET,同时优化栅极电阻和PCB布局。


    总结和推荐




    综合评估:
    - 该N-Channel 650V Power MOSFET凭借其卓越的电气特性和高可靠性,在各类高电压应用中表现出色。
    - 适用于需要高效能和稳定性的场合,特别是在服务器、通信电源和工业控制领域。

    推荐:
    - 强烈推荐在对效率和稳定性要求较高的应用中使用该产品。其在多种工业应用中的优秀表现使其成为一种非常有价值的选择。

K7A60W-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 12A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K7A60W-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K7A60W-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K7A60W-VB K7A60W-VB数据手册

K7A60W-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.8487
100+ ¥ 3.5636
500+ ¥ 3.421
1000+ ¥ 3.2785
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.48
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504