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SI4626DY-T1-E3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,20A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: SI4626DY-T1-E3-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI4626DY-T1-E3-VB

SI4626DY-T1-E3-VB概述

    SI4626DY-T1-E3 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:SI4626DY-T1-E3 是一款N沟道增强型MOSFET,采用TrenchFET® Gen II技术制造,具有超低导通电阻。
    主要功能:该MOSFET具有高密度沟槽场效应晶体管技术,使其具备极低的导通电阻(RDS(on)),适用于同步降压电路中的低端开关和同步整流电路中的功率级。
    应用领域:主要应用于笔记本电脑、服务器和工作站的同步降压电路中,也适用于同步整流的电源输出级。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 漏源电压 VDS | 30 V |
    | 漏源导通电阻 RDS(on) | 0.0030 Ω @ 10 V |
    | 持续漏极电流 ID | 25 A |
    | 最大功耗 PD | 3.5 W @ 25°C |
    | 门源电压 VGS | ±20 V |
    | 绝对最大额定值
    | 工作温度范围 TJ, Tstg | -55°C 到 150°C |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:0.0030 Ω(@ 10 V),使得在电路中产生的损耗非常小,从而提高能效。
    - 高可靠性:采用Halogen-free材料制造,符合IEC 61249-2-21标准,适合长期运行和严苛环境。
    - 高集成度:TrenchFET® Gen II技术,提供更高的单位面积密度和更低的导通电阻,使得芯片体积更小。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:该MOSFET广泛应用于笔记本电脑的电源管理电路中,作为同步降压变换器的低端开关。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动电阻时,需要考虑门电荷(Qg)和输入电容(Ciss)等因素,以确保快速开关。
    - 使用散热器时要确保良好的热传导路径,因为最大功耗为3.5 W(@ 25°C),这要求合适的散热措施以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET采用标准的SO-8封装,便于与其他SMD封装的电子元件兼容。厂商提供了详细的技术支持文档,包括安装指南和常见问题解答,帮助用户更好地了解如何正确使用此产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高频工作条件下出现过热现象。
    - 解决方案:确保有足够的散热措施,如增加散热片或风扇,同时检查电路布局是否合理。

    - 问题2:导通时间延迟。
    - 解决方案:优化门极驱动信号的上升时间和栅极电阻(Rg)的设置,以缩短门极充电时间(Qg)。

    7. 总结和推荐


    综合评估:SI4626DY-T1-E3是一款专为高效电源管理和同步降压应用设计的高性能N沟道MOSFET。它的低导通电阻和高集成度使其成为现代电源管理系统中的理想选择。
    推荐:对于需要高性能和高可靠性的电源管理应用,强烈推荐使用SI4626DY-T1-E3。其在低损耗和紧凑尺寸方面的优势使得它非常适合于笔记本电脑、服务器等领域的应用。

SI4626DY-T1-E3-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI4626DY-T1-E3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI4626DY-T1-E3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI4626DY-T1-E3-VB SI4626DY-T1-E3-VB数据手册

SI4626DY-T1-E3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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