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SUD50N025-05P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: SUD50N025-05P-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SUD50N025-05P-VB

SUD50N025-05P-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),其主要特点是采用了先进的TrenchFET® Power MOSFET技术。该产品被广泛应用于电源管理和开关电路中,例如在服务器、直流/直流转换器(DC/DC)等领域发挥关键作用。本产品符合RoHS指令要求,适用于各种高可靠性应用场景。

    技术参数


    以下是N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的主要技术参数和电气特性:
    - 工作电压:漏源电压VDS最高为30V。
    - 连续漏电流ID:在25°C时,连续漏电流可达100A;在环境温度为70°C时,连续漏电流降至80A。
    - 最大脉冲漏电流IDM:可达300A。
    - 单脉冲雪崩能量EAS:为94.8mJ。
    - 热阻:最大结壳热阻RthJC为0.5°C/W,最大结环境热阻RthJA为32°C/W。
    - 栅源阈值电压VGS(th):在25°C时,范围为1.5V到2.5V。
    - 输入电容Ciss:在15V,0V条件下,Ciss为520pF。
    - 总栅极电荷Qg:在15V,10V条件下,Qg为227nC。

    产品特点和优势


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET具备多项显著优势:
    - 高效能:采用TrenchFET®技术,确保较低的导通电阻和较高的电流承载能力。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试,确保产品可靠性。
    - 低功耗:由于导通电阻较低,降低了损耗。
    - 环保合规:完全符合RoHS标准,无有害物质。

    应用案例和使用建议


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET适用于多种应用场合,例如:
    - 服务器电源管理:在服务器电源管理中,能够提供高效的电力转换和稳压。
    - DC/DC转换器:用于实现直流电压的升降压转换,支持快速响应。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要考虑散热措施以保证产品可靠运行。
    - 使用过程中注意驱动电压设置,确保达到最佳性能。

    兼容性和支持


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET具有良好的兼容性,可以方便地与其他主流电子元件配合使用。制造商提供技术支持和售后服务,帮助用户解决可能出现的技术问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:在高温度下使用时,电流降低。
    - 解决方案:增加外部散热措施,如散热片或风扇,以保持器件冷却。
    - 问题:在高速开关时,出现异常噪音。
    - 解决方案:检查电路设计,确保适当的栅极电阻值,减少高频噪声。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其高效率、可靠性和低功耗特性,在多个领域都有着广泛的应用前景。如果您需要一款高性能、高可靠的MOSFET产品,这款产品是一个理想的选择。我们强烈推荐这款产品用于需要高性能电力管理和开关控制的应用场景。

SUD50N025-05P-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SUD50N025-05P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SUD50N025-05P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SUD50N025-05P-VB SUD50N025-05P-VB数据手册

SUD50N025-05P-VB封装设计

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2500+ ¥ 1.8212
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