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K2645-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2645-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2645-01MR-VB

K2645-01MR-VB概述

    Power MOSFET 技术手册



    1. 产品简介



    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体开关器件,主要用于直流到交流转换以及电源管理电路。它具有高效率、低损耗和易于驱动的特点,在各种电力电子应用中得到广泛应用。

    主要功能:
    - 作为高效率开关使用
    - 提供极低的导通电阻和栅极电荷

    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 开关模式电源供应系统(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应系统(PFC)
    - 照明控制,如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器
    - 工业应用


    2. 技术参数



    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |----------|------|--------|--------|--------|------|
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 5 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 10 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 1 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 16 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 10 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | - | 24 | nC |


    3. 产品特点和优势



    - 低损耗:通过优化的Ron x Qg,实现极低的导通和开关损耗。
    - 高可靠性:经过严格的测试,确保在高压和高温环境下稳定运行。
    - 快速开关:低输入电容(Ciss)确保快速开关速度,减少能耗。
    - 超低栅极电荷:Qg和Qgd的优化减少了总的开关损耗,适用于高速开关应用。


    4. 应用案例和使用建议



    应用场景:
    - 服务器和电信电源供应系统:用于高效能的DC-DC转换。
    - 照明:应用于高强度放电灯和荧光灯的镇流器。
    - 工业设备:适用于各种工业电源管理系统。

    使用建议:
    - 确保正确的驱动信号以避免开关损耗过高。
    - 使用低寄生电感和良好的接地平面来提高系统的整体效率。


    5. 兼容性和支持



    - 兼容性:该器件与主流的SMD封装设备兼容,支持自动化组装。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和支持,包括设计指南、样品和测试板。


    6. 常见问题与解决方案



    | 问题 | 解决方案 |
    |------|---------|
    | 高温下失效 | 确认散热设计符合要求,增加散热片或风扇。 |
    | 导通电阻偏高 | 检查焊接质量和电气连接。 |
    | 电流波动 | 调整驱动电路参数,确保信号稳定。 |


    7. 总结和推荐



    总体来看,这款Power MOSFET凭借其高效的性能和广泛的应用范围,非常适合于各类电源管理和工业控制系统。它的低损耗和快速开关特性使其成为市场上极具竞争力的产品。因此,我强烈推荐此产品用于需要高性能、高可靠性的电源转换和控制场合。

    ---
    如需更多详细信息,请访问 www.VBsemi.com 或联系我们的服务热线:400-655-8788。

K2645-01MR-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2645-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2645-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2645-01MR-VB K2645-01MR-VB数据手册

K2645-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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