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K2793-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2793-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2793-VB

K2793-VB概述


    产品简介


    本技术手册介绍的是VBsemi公司的高性能N-通道Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具备低导通电阻和低输入电容等特点,适用于多种高压应用场合,包括服务器和电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明系统(如高强放电灯和荧光灯)和工业控制等。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 漏极连续电流 (ID):10A(25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):97mJ
    - 高温时最大功率耗散 (PD):140W
    - 静态栅源阈值电压 (VGS(th)):2.5V 至 5V
    - 开启状态下的漏源电阻 (RDS(on)):典型值为0.65Ω
    - 输入电容 (Ciss):最大值为1600pF
    - 输出电容 (Coss):最大值为160pF
    - 反向传输电容 (Crss):最大值为20pF
    - 总栅电荷 (Qg):最大值为20nC
    - 栅源电荷 (Qgs):最大值为10nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):最大值为15nC
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):最大值为1.5V
    - 反向恢复时间 (trr):最大值为190ns

    产品特点和优势


    1. 低损耗:具备低导通电阻和低输入电容,有效减少导通和开关损耗。
    2. 超低栅电荷:Qg极低,提高了效率。
    3. 高可靠性:采用TO-220 FULLPAK封装,确保在极端温度条件下具有出色的稳定性和耐用性。
    4. 广泛的应用范围:特别适合高密度和高效率的应用场合,如电源转换和电机驱动等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:Power MOSFET可以高效管理高电流,确保稳定供电。
    - 照明系统:在荧光灯及HID照明中,Power MOSFET可以实现高效的电流控制,提升照明系统的能效。
    - 工业控制系统:如用于电机驱动器,实现对电机运行的精准控制和保护。
    使用建议
    - 在设计电路时需考虑散热问题,尤其是当负载电流较大时。
    - 为了确保最佳性能,在高功率操作下选择适当的驱动器来控制MOSFET的栅极信号。

    兼容性和支持


    该Power MOSFET采用标准的TO-220封装,与市场上大多数电源和驱动系统高度兼容。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括测试电路和使用示例,帮助用户快速上手并优化应用性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:功率损耗过高
    - 解决办法:检查负载电流是否超过了额定值,并确保良好的散热措施。
    2. 问题:开启延迟时间过长
    - 解决办法:优化栅极驱动电阻,确保正确的栅极充电时间。
    3. 问题:温度上升异常
    - 解决办法:加强散热措施,确保MOSFET的工作温度不超过最大允许值。

    总结和推荐


    VBsemi公司生产的这款N-通道Power MOSFET凭借其高可靠性、低损耗和广泛的适用性,在众多高压应用中表现优异。无论是高要求的电源系统还是工业控制系统,都值得推荐使用。结合其出色的技术性能和广泛的支持资源,是理想的选择。

K2793-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2793-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2793-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2793-VB K2793-VB数据手册

K2793-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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