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K2897-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K2897-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2897-VB

K2897-VB概述

    K2897-VB N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K2897-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道60V耐压的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具有优异的热稳定性和高可靠性,广泛应用于各种电力转换和控制电路中。适用于电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C): 70A (T = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流: 200A
    - 工作温度范围: -55 °C 到 175 °C
    - 最大功率耗散 (T = 25 °C): 136W
    - 封装类型: TO-220 FULLPAK D
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 1~3V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1μA (VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 125 °C)
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): 60A (VDS = 5V, VGS = 10V)
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):
    - 0.010Ω (VGS = 10V, ID = 20A, TJ = 25 °C)
    - 0.020Ω (VGS = 10V, ID = 20A, TJ = 175 °C)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 2650pF
    - 输出电容 (Coss): 470pF
    - 反向转移电容 (Crss): 225pF
    - 总栅电荷 (Qg): 47~70nC
    - 其他特性
    - 上升时间 (tr): 15~25ns
    - 关断延时时间 (td(off)): 35~50ns
    - 导通延时时间 (td(on)): 10~20ns
    - 肖特基二极管额定参数
    - 峰值电流 (ISM): 70A
    - 正向导通电压 (VSD): 1~1.5V (IF = 20A, VGS = 0V)
    - 反向恢复时间 (trr): 45~100ns (IF = 20A, di/dt = 100A/μs)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 能够承受高达175°C的工作温度,保证长期可靠运行。
    - 高性能: 导通状态电阻低,适合高效率的电力转换应用。
    - 宽工作温度范围: -55°C到175°C的温度范围使其适合各种恶劣环境。
    - 快速开关特性: 具备出色的动态响应性能,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理: 用于开关电源中的功率转换环节,提高效率。
    - 电机驱动: 在电动机控制系统中,提供可靠的电流控制。
    - 汽车电子: 适用于电动汽车中的高压电路。
    - 使用建议:
    - 散热设计: 由于其高功率耗散能力,需要确保良好的散热设计,以防止过热。
    - 驱动电路设计: 考虑其快速开关特性,在驱动电路设计中应采用适当的栅极电阻以避免过高频率的振荡。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: K2897-VB MOSFET 可以方便地与其他标准TO-220封装的器件进行互换,如需要与其他不同封装类型的MOSFET配合使用时,可以考虑使用适配器。
    - 技术支持: VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册和技术文档。如需进一步咨询,请联系客户服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: MOSFET过热导致损坏
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用适当的散热片或风扇来降低器件温度。
    - 问题2: 开关频率不稳定
    - 解决方案: 检查驱动电路设计,确保合适的栅极电阻选择,避免过度的高频振荡。
    - 问题3: 开关损耗高
    - 解决方案: 优化驱动信号波形,降低开关损耗,提高整体效率。

    7. 总结和推荐


    K2897-VB MOSFET是一款高可靠性、高性能的N沟道60V MOSFET。其卓越的温度适应性和出色的动态响应性能使其成为各种电力转换和控制应用的理想选择。鉴于其广泛的适用性和可靠性,强烈推荐在需要高效能、高稳定性的电力应用场合中使用。如需更多信息或技术支持,请随时联系VBsemi公司的客户服务热线。

K2897-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,12mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2897-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2897-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2897-VB K2897-VB数据手册

K2897-VB封装设计

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