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TSF830M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: TSF830M-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSF830M-VB

TSF830M-VB概述

    TSF830M N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TSF830M 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低栅源阈值电压和高可靠性。该产品广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明领域(如高强度放电灯和荧光灯)。此外,它还适用于工业控制和驱动应用。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS):650V
    - 最大结温(TJ):150°C
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为1.0Ω(在VGS = 10V,ID = 4A条件下)
    - 栅极电荷(Qg):最大值为13nC
    - 栅源电荷(Qgs):最大值为1.1nC
    - 栅漏电荷(Qgd):最大值为1.8nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏电流(ID):25A(在TC = 25°C时)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):97mJ
    - 最大功耗(PD):12W
    - 热阻率
    - 结到环境的最大热阻(RthJA):63°C/W
    - 结到外壳的最大热阻(RthJC):0.6°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低栅源阈值电压(VGS(th)):在2.5至5V之间,易于驱动
    - 低漏源导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10V,ID = 4A条件下,典型值仅为1.0Ω
    - 低输入电容(Ciss):减少了开关损耗
    - 低栅极电荷(Qg):降低了开关损耗
    - 雪崩耐量:支持重复脉冲,脉宽受限于最大结温
    - 高温操作能力:可在高达150°C的环境中工作

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:适合用于需要高可靠性和高效能的应用场合,提供稳定可靠的电力供应。
    - 开关模式电源(SMPS):在高频切换应用中表现优异,能够减少整体能耗。
    - 工业控制和驱动应用:可以应对复杂的工业环境,保证系统的长期稳定性。
    - 使用建议:确保电路设计中的栅极电阻匹配(如10kΩ),以防止栅极振荡。适当增加散热措施,例如采用大面积散热片,以延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准TO-220封装,便于替换现有组件。可与大多数主流驱动电路兼容。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线培训和快速响应的客户服务热线(400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:驱动电流不足
    - 解决方案:确保栅极驱动电阻选择正确,通常建议值为10kΩ,以避免栅极振荡。

    - 问题二:温度过高
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或风扇,以提高热散逸能力。
    - 问题三:失效或损坏
    - 解决方案:检查是否有过流情况,确保电路中的保险丝和过流保护机制正常工作。

    7. 总结和推荐


    TSF830M N-Channel Power MOSFET 具备出色的性能和可靠性,适用于多种严苛的应用环境。其独特的低栅源阈值电压、低导通电阻以及高效的开关性能使其在市场上具有较强的竞争力。推荐给需要高效率、高可靠性的电力管理应用中。

TSF830M-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TSF830M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSF830M-VB数据手册

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TSF830M-VB封装设计

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