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K2617ALS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2617ALS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2617ALS-VB

K2617ALS-VB概述

    K2617ALS Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K2617ALS 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,主要用于各种高效率功率转换应用。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),从而降低开关损耗和导通损耗。该器件适用于多种工业和商业应用,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明控制。

    技术参数


    - 关键参数:
    - 最大漏源电压(VDS): 650V
    - 最大漏极连续电流(ID): 45A (TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 860A
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 1.0Ω (VGS = 10V, TC = 25°C)
    - 有效输出电容(Co(er)): 视具体应用而定
    - 总门极电荷(Qg): 12nC (VGS = 10V, ID = 4A, VDS = 520V)
    - 门极输入电阻(Rg): 3.5Ω (f = 1MHz)
    - 工作环境:
    - 操作结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 极限温度下的最大结到外壳热阻(RthJC): 0.6°C/W
    - 极限温度下的最大结到环境热阻(RthJA): 63°C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻和低门极电荷:显著降低开关损耗和导通损耗,提高整体能效。
    - 高可靠性:重复冲击试验显示其具有出色的抗雪崩能力和耐用性。
    - 超低门极电荷:有助于快速开关,减少功耗并提升系统响应速度。
    - 广泛的适用性:适用于高电压、大电流的应用场合,如电源管理和电机驱动。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:利用其低损耗特性,提高电源转换效率,适用于需要高可靠性的数据中心。
    - 照明控制:适用于 HID 和荧光灯照明系统,提高能效和稳定性。
    - 工业应用:可应用于电机驱动和电动工具,确保在恶劣环境下稳定运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时需注意散热管理,合理选择散热片以保证结温在安全范围内。
    - 为防止过电压损坏,建议使用瞬态电压抑制器(TVS)保护电路。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件符合 TO-220 FULLPAK 封装标准,易于与其他标准器件集成。
    - 支持和服务:提供详尽的技术文档和专业客服支持,确保客户能够顺利部署和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 高频工作时门极振荡现象严重。
    - 解决方案: 使用合适的门极电阻(Rg)值,并考虑增加RC滤波电路来减少振荡。

    - 问题 2: 开关瞬间产生较高的dv/dt导致电磁干扰。
    - 解决方案: 增加缓冲电路(如钳位二极管和RC网络)以限制dv/dt,减少EMI。

    总结和推荐


    K2617ALS Power MOSFET凭借其出色的性能和广泛的应用前景,在高效能电力转换领域具有显著优势。它的低损耗特性和高可靠性使其成为各种高要求应用的理想选择。因此,我们强烈推荐该器件给那些寻求高效能和高可靠性的工程师和技术人员。

K2617ALS-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2617ALS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2617ALS-VB数据手册

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K2617ALS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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