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K4212-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: K4212-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4212-E1-AY-VB

K4212-E1-AY-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一种高性能的场效应晶体管(MOSFET),特别适用于电源管理和负载切换应用。该器件采用TrenchFET®技术制造,具有低导通电阻和高可靠性,可应用于服务器、直流/直流转换器和OR-ing电路等场合。该MOSFET器件还符合RoHS标准,适合环保要求高的应用场合。

    技术参数


    - 最大电压:30V
    - 连续漏极电流(TJ=175°C):25.8A @ TA=25°C,22A @ TA=70°C
    - 脉冲漏极电流:250A
    - 雪崩电流:39A
    - 单脉冲雪崩能量:94.8mJ
    - 最大功率耗散(TC=25°C):205W
    - 热阻:32°C/W(最高)
    - 工作温度范围:-55°C至175°C

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过100%的Rg和UIS测试。
    - 低导通电阻:在VGS=10V时,RDS(on)仅为0.005Ω。
    - 高效能:低导通电阻(RDS(on))和高栅极电荷(Qg)使其非常适合于需要高效能的应用。
    - 兼容性好:符合RoHS标准,适用于多种环保要求的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器:作为服务器中的电源管理组件,负责电源转换和负载切换。
    2. 直流/直流转换器:用于提高效率并减少功率损耗。
    3. OR-ing电路:作为保护电路,防止电流倒流。
    使用建议
    - 在设计时应注意散热,特别是在大电流应用中,确保器件的温度不超过最大允许值。
    - 为了降低功耗和提高效率,应选择合适的栅极电阻(Rg),以平衡开关速度和损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET适用于广泛的标准封装,如TO-252,便于集成到现有的电路板设计中。
    - 支持:制造商提供详细的技术支持和文档,包括安装指南和应用笔记,以帮助用户更好地利用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 器件过热怎么办?
    - A: 确保良好的散热措施,使用适当的散热片或冷却系统。检查电流是否超过了器件的最大额定值。

    - Q: 漏电流过高怎么办?
    - A: 检查接线是否正确,确保所有连接都牢固可靠。使用万用表测量电路中的电压和电流,确认是否存在异常。

    - Q: 开关速度慢怎么办?
    - A: 调整栅极电阻(Rg)值,优化电路设计以获得最佳开关速度。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其高可靠性、低导通电阻和高效的电气性能,在服务器、直流/直流转换器和OR-ing电路等应用中表现出色。它具有优异的热性能和出色的耐久性,适合于需要高效电源管理的应用场合。鉴于其卓越的功能和广泛的适用性,我们强烈推荐该产品给对性能和可靠性有严格要求的设计者和工程师。

K4212-E1-AY-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 60A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4212-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4212-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4212-E1-AY-VB K4212-E1-AY-VB数据手册

K4212-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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