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UPA1712G-E2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UPA1712G-E2-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1712G-E2-VB

UPA1712G-E2-VB概述

    UPA1712G-E2 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UPA1712G-E2 是一款高性能的N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高侧同步整流操作优化。这款MOSFET采用先进的TrenchFET®技术制造,具备低导通电阻和高效的电流控制能力。它广泛应用于笔记本电脑CPU核心供电、高侧开关等领域。

    2. 技术参数


    以下是UPA1712G-E2的关键技术参数:
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25 °C: 13 A
    - TC = 70 °C: 7 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 45 A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25 °C: 4.1 W
    - TC = 70 °C: 2.5 W
    - 热阻抗 (RthJA):
    - 最大值: 55 °C/W
    - 典型值: 39 °C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V: 0.008 Ω (ID = 10 A)
    - VGS = 4.5 V: 0.011 Ω (ID = 9 A)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 800 pF
    - 输出电容 (Coss): 165 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 73 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 10 A: 15 nC
    - VDS = 15 V, VGS = 5 V, ID = 10 A: 6.8 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高效能: 低导通电阻和快速开关特性使得其在高频率应用中表现出色。
    - 可靠设计: 通过严格的100% Rg测试和100% UIS测试,确保了产品的长期可靠性。
    - 优化应用: 专门针对高侧同步整流操作进行优化,适用于各种高要求的电源管理场景。
    - 环保认证: 符合RoHS标准,无卤素设计,符合欧盟相关法规要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 笔记本电脑CPU核心供电: 用于高侧开关的应用中,能够有效提高系统的效率和稳定性。
    - 使用建议: 在设计电路时,确保MOSFET的工作条件在额定范围内,特别是在高功率应用场景中要特别注意散热问题。此外,可以利用热阻抗参数来选择合适的散热方案。

    5. 兼容性和支持


    UPA1712G-E2 的封装为SO-8,这使其易于与其他标准的表面贴装器件兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,以确保客户能够充分利用产品的各项功能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: MOSFET发热严重
    - 解决方案: 使用适当的散热器或者增加散热面积,确保工作温度不超过安全范围。
    - 问题2: 开关频率不稳定
    - 解决方案: 检查电路设计中的RC网络,确保驱动信号的稳定性和一致性。

    7. 总结和推荐


    UPA1712G-E2 是一款性能卓越的N沟道MOSFET,适合于多种高要求的应用场景。其高效能、可靠性和易用性使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐在高侧同步整流应用中使用这款产品。
    此技术手册详细介绍了UPA1712G-E2的各方面特性和应用场景,旨在帮助工程师更好地理解和使用该产品。希望这些信息对您有所帮助。

UPA1712G-E2-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 11A
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 15V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1712G-E2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1712G-E2-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1712G-E2-VB UPA1712G-E2-VB数据手册

UPA1712G-E2-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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