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K1582-T2B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K1582-T2B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1582-T2B-A-VB

K1582-T2B-A-VB概述

    N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档介绍了VBsemi公司生产的N-Channel 60-V MOSFET。该MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种应用场景。它的主要功能包括作为逻辑接口和驱动组件,可以用于直接逻辑级接口(如TTL/CMOS),驱动继电器、电磁铁、灯、显示器、存储器等设备,特别适合电池供电系统和固态继电器的应用。

    技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VGS = 0 V, ID = 10 µA | 60 V |
    | 门限电压 | VDS = VGS, ID = 250 µA | 1 | 2.5 V |
    | 零栅压漏电流 | VDS = 60 V, VGS = 0 V | 1 500 | µA |
    | 导通状态漏源电阻 | VGS = 10 V, ID = 200 mA | 2.8 Ω |
    | 输入电容 | VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz 25 pF |
    | 总栅极电荷 | VDS = 10 V, VGS = 4.5 V, ID ≈ 150 mA | 0.4 0.6 | nC |
    | 开启时间 | VDD = 30 V, RL = 150 Ω, ID ≈ 200 mA, VGEN = 10 V, RG = 10 Ω | 20 ns |

    产品特点和优势


    该N-Channel 60-V MOSFET具有以下几个显著的特点和优势:
    1. 低阈值电压:典型值为2 V,便于驱动。
    2. 低输入电容:25 pF,有助于快速开关。
    3. 快速开关速度:25 ns,适用于高速电路。
    4. 低输入和输出泄漏电流,减少了功耗。
    5. 采用TrenchFET®技术,确保高可靠性。
    6. 1200V ESD保护,增强了电路稳定性。
    7. 符合RoHS指令2002/95/EC,无铅符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET广泛应用于多种电子设备中,例如:
    - 直接逻辑级接口:用于TTL/CMOS接口,简化电路设计。
    - 驱动器:驱动继电器、电磁铁、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等设备。
    - 电池供电系统:特别适合便携式和移动设备。
    - 固态继电器:提供更稳定可靠的控制能力。
    使用建议:
    1. 确保在高温环境下使用时考虑到温度对导通电阻的影响。
    2. 在高频开关应用中,需注意电容和电荷特性,避免过高的热损耗。

    兼容性和支持


    该MOSFET在多种电子设备中表现出良好的兼容性,特别是在现代电子设备中广泛应用。厂商提供了详细的技术支持文档和售后服务,帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查电路中是否有寄生电容过高,调整外围电路。 |
    | 温度升高导致失效 | 使用散热器或增加散热措施,降低工作温度。 |
    | 导通电阻异常 | 检查门限电压设置是否正确,确保门限电压在有效范围内。 |

    总结和推荐


    综上所述,VBsemi公司的N-Channel 60-V MOSFET具备卓越的性能和可靠性,适用于广泛的电子设备和应用领域。其低阈值电压、快速开关能力和高可靠性使其成为高速电路和电池供电系统的理想选择。因此,强烈推荐在相关应用中使用该产品。

K1582-T2B-A-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 300mA
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1582-T2B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1582-T2B-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1582-T2B-A-VB K1582-T2B-A-VB数据手册

K1582-T2B-A-VB封装设计

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