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K3702-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K3702-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3702-VB

K3702-VB概述


    产品简介


    K3702-VB N-Channel 60V MOSFET 是一款高性能的单通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有高电压隔离、低热阻和动态性能等特点。这款MOSFET专为高压工业应用设计,适用于开关电源、电机驱动和其他需要高可靠性电子系统的场合。它通过其紧凑的设计和卓越的电气特性,在电力管理和高效能转换领域展现了显著的优势。

    技术参数


    以下为K3702-VB的主要技术参数,整理自产品手册:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极源极阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.0 | 3.0 | V |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.027 | - | Ω |
    | 栅极电荷 | Qg | - | 95 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1500 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 热阻抗(结到壳) | RthJC | - | 3.1 | - | °C/W |
    | 最高工作温度 | TJ, Tstg | -55 | 175 | - | °C |
    此外,该产品具有高绝缘耐压能力(2.5 kVRMS,测试频率60 Hz),适用于恶劣环境下的工作条件。最大结温可达175°C,同时支持无铅制造。

    产品特点和优势


    1. 高电压隔离性能:K3702-VB提供了高达2.5 kVRMS的电压隔离能力,适合高压环境下的应用。
    2. 低热阻设计:内部结构优化降低了热阻,提高了散热效率。
    3. 高可靠性:符合RoHS标准,无铅制造确保环保与安全性。
    4. 动态性能优越:支持快速开关操作,减少功耗并提高效率。
    5. 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行,适合工业及汽车电子领域。
    这些特点使K3702-VB成为高性能电力控制的理想选择,特别是在工业自动化、新能源汽车等领域具有很强的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 开关电源:利用其低导通电阻特性,提升整体电源转换效率。
    - 电机驱动:配合高效的PWM控制电路,实现精确的速度和方向控制。
    - 逆变器系统:作为关键的功率转换组件,保障系统的长期稳定性。
    使用建议
    - 在高温环境中使用时,应适当降低工作电流以避免过热现象。
    - 连接外围元件时需注意寄生电感的影响,建议采用短而粗的导线来减少线路损耗。
    - 配套使用滤波电路可进一步提升信号质量。

    兼容性和支持


    K3702-VB支持主流PCB设计工具,并与多种微控制器和驱动芯片兼容。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线知识库、客户服务中心等资源,帮助用户快速解决问题并加速产品开发周期。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻值,优化驱动电路设计。 |
    | 温度过高 | 改善散热措施,如增加散热片或风扇。 |
    | 静态电流过大 | 检查电路布局是否存在漏电路径。 |

    总结和推荐


    综上所述,K3702-VB N-Channel 60V MOSFET凭借其出色的性能指标、广泛的适用性和强大的技术支持,在工业级和汽车级电子应用中表现出色。其高电压隔离能力和卓越的动态性能使其成为同类产品中的佼佼者。因此,我们强烈推荐此款产品给寻求高效、可靠解决方案的专业工程师和制造商。
    如需进一步了解或购买,请拨打服务热线:400-655-8788。

K3702-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3702-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3702-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3702-VB K3702-VB数据手册

K3702-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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