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K15A60U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: K15A60U-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K15A60U-VB

K15A60U-VB概述

    # K15A60U-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    K15A60U-VB 是一款高性能的 N 沟道 650V(D-S)超级结功率 MOSFET,适用于多种高效率应用场合。其独特设计使其具备低导通电阻、低栅极电荷和低输入电容等优点,广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源和照明等领域,包括高强光灯 (HID) 照明和荧光灯电子镇流器等。

    技术参数


    以下是 K15A60U-VB 的关键技术和性能参数:
    - 最大耐压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.19Ω(@VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 106nC(典型值)
    - 栅源电荷 (Qgs): 14nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 33nC
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 最大连续漏电流 (ID): 20A(@TC = 25°C, VGS = 10V)
    电气特性
    - 输入电容 (Ciss): 2322pF
    - 输出电容 (Coss): 105pF
    - 反向转移电容 (Crss): 84pF
    其他特性
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 360mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 200W
    - 静态和动态参数详细描述见下图及表格。

    产品特点和优势


    K15A60U-VB 在多个方面具备显著的优势,包括:
    - 低损耗: 具备低导通电阻和低栅极电荷,显著减少开关损耗和传导损耗。
    - 高可靠性: 能够承受高压环境,具有优良的重复性和雪崩耐受能力。
    - 紧凑设计: 小巧的外形设计和优化的热阻,适合各种高密度应用。
    - 快速响应: 快速的开关速度,有助于提高整体系统的能效。

    应用案例和使用建议


    K15A60U-VB 广泛应用于多种高压应用中,例如:
    - 服务器和电信电源: 提供高效的电源转换解决方案。
    - 工业控制: 用于电机驱动、逆变器和其他工业控制系统。
    - 照明系统: 适用于高亮度放电 (HID) 灯具和荧光灯电子镇流器。
    使用建议
    - 在高功率密度应用中,考虑并优化散热设计,以确保可靠运行。
    - 配合合适的驱动电路,以充分利用其低导通电阻和快速开关特性。
    - 在选择外部元件时,确保它们能够承受所需的电压和电流,同时考虑热管理和电磁干扰 (EMI)。

    兼容性和支持


    K15A60U-VB 设计有标准化的 TO-220 FULLPAK 封装,易于安装和与其他电子元器件的连接。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括:
    - 技术咨询: 提供详尽的应用和技术支持。
    - 维护服务: 定期更新产品规格和提供售后服务保障。
    - 文档支持: 提供完整的产品手册和技术资料。

    常见问题与解决方案


    根据手册中提供的常见问题和解决方案,列出几个用户可能遇到的问题及其解决办法:
    - 问题: 栅极电压过高导致损坏。
    - 解决方案: 使用合适尺寸的栅极电阻 (Rg),通常推荐值为 10-20Ω,以限制电流。

    - 问题: 过高的温度导致器件失效。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用适当的散热片和热界面材料,以提高热管理效率。

    总结和推荐


    K15A60U-VB 是一款出色的高性能 N 沟道 MOSFET,具备优异的电气特性和可靠性。它特别适合需要高效、高可靠性的应用场合,如服务器和电信电源、工业控制和照明系统。总体而言,推荐用户在相关应用中优先选择此款产品,以便获得最佳的性能表现和长期稳定性。

K15A60U-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K15A60U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K15A60U-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K15A60U-VB K15A60U-VB数据手册

K15A60U-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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