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SM2501NSU-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: SM2501NSU-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SM2501NSU-VB

SM2501NSU-VB概述

    SM2501NSU N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    SM2501NSU 是一款来自台湾VBsemi公司的N沟道30V(漏源电压)功率MOSFET,专为多种电力应用设计。它具备以下基本特性:
    - 类型:N沟道功率MOSFET
    - 主要功能:提供低导通电阻(RDS(on)),高开关速度和高可靠性
    - 应用领域:适用于电源管理(如OR-ing)、服务器系统及DC/DC转换等场景

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 备注 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 30 V
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 0.002Ω @ VGS=10V
    | 持续漏极电流(ID) | 100A (TC=25°C), 80A (TC=70°C)
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 300A
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 94.8 mJ
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55°C to 175°C
    | 最大热阻(RthJA) | 32°C/W | 最大值40°C/W |
    | 热阻(RthJC) | 0.5°C/W

    3. 产品特点和优势


    SM2501NSU 的显著优势在于:
    - 低导通电阻:极低的RDS(on),在10V栅源电压下仅为0.002Ω,使得其适用于高效率的应用场景。
    - 高可靠性:100%经过栅极电阻(Rg)和雪崩电流(UIS)测试,确保在恶劣条件下的稳定性。
    - 环保合规:符合RoHS指令2011/65/EU标准,无铅,绿色环保。
    - 宽工作温度范围:可在极端温度环境下稳定工作,从-55°C到175°C。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:广泛应用于OR-ing电路、服务器电源管理和DC/DC转换等领域。
    - 使用建议:为了保证最佳性能,建议在设计时预留足够的散热措施,并遵循额定电流和电压的工作范围。同时,在高温环境下需要特别注意散热,以避免过热导致器件失效。

    5. 兼容性和支持


    SM2501NSU 设计上兼容各种工业标准,可以方便地与其他标准电子元器件配合使用。VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档和售后服务,确保客户能够快速解决问题并获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理过高的栅极驱动电压?
    - 解决办法:限制栅极电压不超过±20V,以免损坏内部结构。
    - 问题2:器件在高负载下温度过高怎么办?
    - 解决办法:增加外部散热装置或改进PCB布局以提高散热效率。


    7. 总结和推荐


    SM2501NSU 在其性能参数和应用范围方面表现出色,尤其适合需要高效、可靠电力管理的场合。推荐给需要在高压、大电流环境中工作的工程师和设计师们。
    综上所述,SM2501NSU凭借其优异的性能和广泛的适用性,是市场上值得信赖的选择。

SM2501NSU-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SM2501NSU-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SM2501NSU-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SM2501NSU-VB SM2501NSU-VB数据手册

SM2501NSU-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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