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K100E08N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,195A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K100E08N1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K100E08N1-VB

K100E08N1-VB概述

    K100E08N1-VB N-Channel 80V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K100E08N1-VB 是一款高性能的N沟道80V(漏源)MOSFET,由VBsemi公司设计制造。此款MOSFET具有极低的导通电阻,适用于电源、DC/DC转换器、电动工具、电机驱动开关、DC/AC逆变器及电池管理等多个领域。其独特的TrenchFET®技术使其能够在高达175℃的结温下稳定运行,保证了产品的可靠性与耐用性。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 80V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 195A(TC = 25℃),120A(TC = 70℃)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 600A(t = 100μs)
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): ≤1μA(VDS = 80V, VGS = 0V)
    - 导通状态电阻 (RDS(on)): 0.0028Ω(VGS = 10V, ID = 30A)
    - 输入电容 (Ciss): 7910pF(VGS = 0V, VDS = 40V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 3250pF
    - 反向传输电容 (Crss): 348pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 9nC(VDS = 40V, VGS = 10V, ID = 20A)
    - 栅源电荷 (Qgs): 31nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 10nC
    - 栅电阻 (Rg): 0.28Ω(f = 1MHz)

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:采用先进的沟槽技术,显著降低导通电阻并提高效率。
    - 宽工作温度范围:能够在-55至+175℃的温度范围内稳定运行。
    - 低栅漏电荷 (Qgd):有效减少通过Vplateau时的功率损耗。
    - 可靠性高:所有产品都经过100%的Rg和UIS测试,确保可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源系统:可用于二次同步整流,减少功耗并提高效率。
    - 电动工具:适用于电机驱动开关,提高工具性能。
    - 电池管理系统:确保电池在各种工作条件下的安全高效管理。
    使用建议:
    - 在设计电源转换器时,应考虑K100E08N1-VB的低RDS(on)特性,以实现高效的能量转换。
    - 针对电动工具的应用,注意MOSFET的散热设计,以避免因过热导致的性能下降。
    - 在电池管理系统中,应监控MOSFET的工作温度,确保其在规定的温度范围内运行。

    兼容性和支持


    K100E08N1-VB的封装为TO-220AB,这使得它易于集成到现有的电路板设计中。VBsemi提供详尽的技术支持和维护文档,帮助客户顺利使用产品。此外,如果需要进一步的技术支持或定制化解决方案,可联系VBsemi的服务热线400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 使用过程中发现漏电流过大
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,尤其是栅源极之间的连接。确认是否有损坏的元件或者接触不良的情况。
    - 问题: 温度过高导致性能下降
    - 解决方案: 确保MOSFET的散热措施到位,如添加散热片或使用适当的散热设计。

    总结和推荐


    K100E08N1-VB是一款集多种优势于一身的高性能N沟道MOSFET,特别适合于电源系统、电动工具及电池管理等领域。其优异的耐高温性能、低导通电阻及出色的可靠性使其成为众多应用场景的理想选择。综上所述,强烈推荐使用K100E08N1-VB来满足您的需求。

K100E08N1-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 195A
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K100E08N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K100E08N1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K100E08N1-VB K100E08N1-VB数据手册

K100E08N1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.8584
500+ ¥ 4.664
1000+ ¥ 4.4697
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