处理中...

首页  >  产品百科  >  KF7N60F-VB

KF7N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: KF7N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF7N60F-VB

KF7N60F-VB概述


    产品简介




    KF7N60F 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯球)和工业应用。该产品以其低导通电阻(Ron)和快速开关性能而闻名,适用于需要高效能和高可靠性的场合。


    技术参数




    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 最大漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C时:连续电流为 7.0 A
    - TC = 100°C时:连续电流为 5.6 A
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 栅极电荷 (Qg): 最大值为 32 nC
    - 有效输出电容 (Co(tr)):
    - VGS = 0 V, f = 1 MHz时
    - Ciss: 10 pF
    - Coss: 28 pF
    - Crss: 62 pF
    - 绝对最大额定值
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 97 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 120 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C


    产品特点和优势




    KF7N60F 的核心优势在于其低导通电阻和低输入电容,这使得其具有显著的低切换损耗和导通损耗。具体优势如下:

    - 低门极电荷 (Qg): 可降低驱动损耗,提高效率。
    - 低输入电容 (Ciss): 降低开关损耗,提高整体能效。
    - 高可靠性: 通过了严格的测试,包括高温度下的单脉冲雪崩能量评级。
    - 广泛的应用领域: 适合多种电源转换应用,如服务器、通信设备、照明系统及工业设备。


    应用案例和使用建议




    KF7N60F 在以下应用场景表现出色:

    - 服务器和通信电源系统: 由于其高可靠性和低损耗特性,非常适合用于数据中心和通信基站的电源管理。
    - 开关模式电源 (SMPS): 能够减少发热,提高系统整体效率。
    - 照明系统: 如HID灯和荧光灯球,因其高效和高可靠性而在大型公共场所照明系统中广泛应用。

    使用建议:

    - 选择合适的栅极驱动器: 为了更好地控制开关时间和降低损耗,建议使用与MOSFET匹配的栅极驱动器。
    - 热管理: 注意散热设计,特别是在高温环境下工作时,应确保足够的散热能力以避免过热。


    兼容性和支持




    KF7N60F 与大多数标准电源管理系统兼容,可方便地集成到现有系统中。VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后保障,包括详细的规格文档和故障排除指南。


    常见问题与解决方案




    1. 问题: 开关过程中出现过高的栅极振荡现象。
    - 解决方法: 使用适当的栅极电阻或栅极钳位电路来减小振荡幅度。

    2. 问题: 发现系统在高温环境下性能下降。
    - 解决方法: 采取有效的散热措施,确保结温保持在安全范围内。


    总结和推荐




    KF7N60F 是一款卓越的N沟道功率MOSFET,具备高可靠性和高效的特性,适用于各种电力管理和控制系统。无论是用于服务器电源还是照明系统的应用,KF7N60F 都能够提供优异的表现。强烈推荐使用这款产品,以实现最佳的系统性能和长期的可靠性。

KF7N60F-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF7N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF7N60F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF7N60F-VB KF7N60F-VB数据手册

KF7N60F-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504