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UT10N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: UT10N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT10N60F-VB

UT10N60F-VB概述

    UT10N60F N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT10N60F 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和控制应用。它具有低导通电阻和高效率的特点,特别适合用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域。此外,它还广泛应用于照明系统(如高强度放电灯 HID 和荧光灯)、工业控制等多种场合。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDS): 最大值为 650V
    - 漏源关断电压 (VDS): 在最大结温时 (TJ max.) 下的值为 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大值为 10V栅极电压 (VGS) 下为 Ω(具体数值取决于额定电流)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 门极-源极电压 (VGS): ±30V
    - 持续漏极电流 (ID): TC = 25°C 时为 A,TC = 100°C 时为 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 87mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 热阻
    - 最大结到环境的热阻 (RthJA): -63°C/W
    - 最大结到外壳(漏极)的热阻 (RthJC): -0.6°C/W

    产品特点和优势


    UT10N60F 功率 MOSFET 具有以下显著优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在相同的栅极电压下,提供更低的导通电阻,从而减少损耗。
    - 低输入电容 (Ciss): 有助于降低开关过程中的能量损失。
    - 低栅极电荷 (Qg): 减少开关期间的能量消耗,提高效率。
    - 卓越的雪崩耐受能力: 具备 87mJ 的单脉冲雪崩能量 (EAS),能够应对极端的工作环境。

    应用案例和使用建议


    UT10N60F 在实际应用中表现优秀,尤其是在电源管理方面。例如,在服务器和电信电源供应系统中,它可以显著提升系统的整体能效。在照明系统中,UT10N60F 能够有效地控制和调节电流,提高灯具的使用寿命。对于工业应用,这款 MOSFET 可以用于驱动高功率电机和泵。
    使用建议:
    - 在使用 UT10N60F 时,确保其工作温度不超过绝对最大值,特别是在高温环境下需要特别注意散热。
    - 确保门极驱动电压适中,过高或过低的电压都可能影响 MOSFET 的正常工作。
    - 在设计电路时,考虑减少寄生电感,以提高系统稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    UT10N60F 与标准的 TO-220 FULLPAK 封装相兼容,适用于多种现有的电源模块和 PCB 设计。厂商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、用户手册和专业的客户服务团队。此外,还可以通过公司官网获得最新的产品更新和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: MOSFET 发热严重
    - 解决办法: 检查散热片的设计和安装是否合理,确保有足够的散热面积。此外,检查工作条件是否符合规范要求。
    - 问题2: 开关频率不稳定
    - 解决办法: 检查门极驱动信号是否稳定,必要时更换质量更好的驱动器。
    - 问题3: MOSFET 损坏
    - 解决办法: 检查是否有过压或过流现象,同时确认工作环境是否满足规定要求。

    总结和推荐


    UT10N60F N-Channel Power MOSFET 在电力管理和转换领域表现出色,具备低导通电阻、低输入电容和低栅极电荷等优势,能够有效提升系统的整体效率和可靠性。考虑到其卓越的雪崩耐受能力和广泛的应用领域,强烈推荐在各类电源管理和工业控制系统中使用。购买和使用时,请务必参照厂家提供的详细资料和技术支持,以确保最佳性能和长期稳定性。
    联系信息:
    - 服务热线: 400-655-8788
    - 官方网站: www.VBsemi.com

UT10N60F-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT10N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT10N60F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT10N60F-VB UT10N60F-VB数据手册

UT10N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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