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K291TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: K291TL-E-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K291TL-E-VB

K291TL-E-VB概述

    K291TL-E-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K291TL-E-VB 是一款由 VBsemi 生产的高性能 N-Channel MOSFET。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,能够在高电压和高温环境下稳定运行。该 MOSFET 主要应用于工业自动化、电源管理、电机驱动等领域,尤其适合需要高频开关和高可靠性要求的应用场景。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ = 175°C) | ID 75 A |
    | 突发漏极电流 | IDM 200 | A |
    | 源极持续电流(二极管导通) | IS 50 A |
    | 冲击电流 | IAS 50 A |
    | 单次冲击能量(Duty Cycle ≤ 1%) | EAS 125 mJ |
    | 最大功率耗散 | PD 136 | W |
    | 最大结-壳热阻 | RthJC | 0.85 1.1 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 耐高温能力:175°C 的结温耐受能力,适合极端环境下的应用。
    - 低导通电阻:在不同温度下,导通电阻 RDS(on) 保持较低,降低了功耗。
    - 高耐压能力:最高承受 60V 的电压,适用于高压应用场合。
    - 优异的动态性能:包括快速开关时间和低输入电容,有助于提高系统效率。
    - 先进的 TrenchFET® 技术:提供了更高的可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 工业自动化:用于电机驱动和电源转换,保证系统的高效和稳定运行。
    - 电源管理:适合作为开关电源中的关键组件,提高能效并减少发热。
    - 电机驱动:可以有效控制电机的启动和停止过程,提高响应速度。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保散热设计足够良好,以防止因过热导致器件失效。
    - 在进行高压应用时,务必遵循安全操作规程,避免发生短路或过载情况。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K291TL-E-VB 可与其他标准 D2PAK 封装的器件互换使用,无需更改电路板设计。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全方位的技术支持和售后服务,包括技术咨询和故障排除服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 优化散热设计,增加散热片或风扇 |
    | 开关频率低 | 调整驱动电路,提高栅极信号频率 |
    | 电流限制 | 检查外部电路,确保负载在额定范围内 |

    7. 总结和推荐


    K291TL-E-VB N-Channel 60-V MOSFET 凭借其出色的高温耐受性、低导通电阻和快速动态性能,在工业自动化、电源管理和电机驱动等领域表现出色。考虑到其卓越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐在相关项目中使用该产品。
    如有任何疑问或需要进一步技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

K291TL-E-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 75A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K291TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K291TL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K291TL-E-VB K291TL-E-VB数据手册

K291TL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
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