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K1904-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K1904-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1904-VB

K1904-VB概述

    K1904-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册



    产品简介



    K1904-VB 是一款高可靠性的 N 沟道 100-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具有隔离封装,能承受高达 2.5 kVRMS 的电压隔离,适合广泛的应用领域,如电源管理、电机驱动、新能源汽车等领域。K1904-VB 采用 TO-220 FULLPAK 封装,符合 RoHS 规范。


    技术参数



    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V_{DS} \): 100 V
    - 漏极连续电流 \( I_D \): 18 A (25°C), 12 A (100°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I_{DM} \): 68 A
    - 最大功率耗散 \( P_D \): 48 W (25°C)
    - 结温范围 \( T_{J}, T_{STG} \): -55°C 到 +175°C
    - 门限电压 \( V_{GS(th)} \): 1.0 V 到 3.0 V
    - 输入电容 \( C_{iss} \): 1700 pF (25 V)
    - 输出电容 \( C_{oss} \): 560 pF
    - 反向传输电容 \( C_{rss} \): 120 pF

    - 动态参数
    - 动态 \( dV/dt \) 评级
    - 开启延迟时间 \( t_{d(on)} \): 11 ns
    - 上升时间 \( t_r \): 44 ns
    - 关断延迟时间 \( t_{d(off)} \): 53 ns
    - 下降时间 \( t_f \): 43 ns

    - 热阻参数
    - 结到环境最大热阻 \( R_{thJA} \): 65°C/W
    - 结到外壳最大热阻 \( R_{thJC} \): 3.1°C/W


    产品特点和优势



    - 高电压隔离: K1904-VB 具有高达 2.5 kVRMS 的高电压隔离能力,适用于需要强隔离性能的应用。
    - 宽温度范围: 产品可在 -55°C 到 +175°C 的极端温度范围内工作,表现出色的稳定性和可靠性。
    - 低热阻: 低热阻设计有助于快速散热,保证在高功率应用中的稳定性。
    - 环保材料: 采用无铅材料,符合 RoHS 和卤素自由标准。


    应用案例和使用建议



    - 电源管理: K1904-VB 在电源转换器中表现优异,能够高效地进行电压转换和电流控制。
    - 电机驱动: 高电流能力和快速开关速度使其成为电机驱动的理想选择。
    - 新能源汽车: 适合用于电动汽车中的逆变器和其他高压电力系统,提供高可靠性。

    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,注意确保良好的散热条件。
    - 设计电路时,要充分考虑寄生电感和漏感的影响,以减少电磁干扰。


    兼容性和支持



    K1904-VB 与其他标准 N 沟道 MOSFET 具有良好的兼容性,适用于多种应用场景。制造商提供详细的技术支持文档和在线服务,客户可以通过 400-655-8788 热线获取帮助。


    常见问题与解决方案



    1. 如何确保正确的焊接温度?
    - 推荐焊接温度不超过 300°C,峰值时间为 10 秒。
    - 使用适当的焊接设备和技术,避免过高温度导致损坏。

    2. 如何优化热管理?
    - 确保良好的散热设计,如添加散热片或使用导热硅脂。
    - 定期检查设备的工作温度,确保不超过最大值。


    总结和推荐



    K1904-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高电压和高温环境。其出色的电气特性和高隔离性能使其在多个应用领域具有显著优势。综上所述,强烈推荐使用 K1904-VB 进行相关设计。

K1904-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1904-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1904-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1904-VB K1904-VB数据手册

K1904-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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