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SFT1350-H-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
供应商型号: 14M-SFT1350-H-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SFT1350-H-VB

SFT1350-H-VB概述


    产品简介


    SFT1350-H 是一款高性能的P沟道TrenchFET®功率MOSFET,主要应用于电力系统、工业控制等领域。此MOSFET采用了低热阻封装技术,使其在高功率密度下仍能保持良好的散热性能。SFT1350-H是VBsemi公司推出的高效能产品,广泛适用于各种电源转换器、逆变器和其他需要高效能量转换的应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -40 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | -1.5 | - | -2.5 | V |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 漏源通态电阻(VGS=-10V)| RDS(on) | - | 0.012 | - | Ω |
    | 连续漏极电流 | ID | -50 | - | - | A |
    | 最大单脉冲雪崩电流 | IAS | -40 | - | - | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 80 | - | mJ |
    | 最大耗散功率 | PD | - | 136 | - | W |

    产品特点和优势


    SFT1350-H 的关键特点和优势包括:
    - 低热阻封装:使MOSFET能够在高功率密度下有效散热。
    - 高可靠性测试:通过了100%的Rg和UIS测试,确保产品的稳定性和耐用性。
    - 高门槛电压稳定性:即使在高温环境下,也能保持良好的栅源阈值电压稳定性。
    这些特点使其在电力转换器和工业控制系统中具有显著的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一个典型的电力转换器设计中,SFT1350-H 被用于高压直流电源转换,展现出优秀的能量转换效率。
    使用建议:
    - 为了充分利用SFT1350-H 的特性,在安装时应保证良好的散热措施,例如采用合适的散热片或散热膏。
    - 建议使用双面铜板(厚度为2oz)并进行适当的电路布局,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    SFT1350-H 采用TO-252封装,易于与多种PCB集成。制造商VBsemi提供了详细的技术支持和维护信息,确保用户能够获得必要的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题1:
    - 问题: 设备在高功率运行时出现过热现象。
    - 解决方案: 确保正确的散热设计,如使用更大尺寸的散热片或增加散热膏。
    常见问题2:
    - 问题: 设备启动时出现异常噪声。
    - 解决方案: 检查连接线路是否正确,确保所有接头紧固,没有松动。

    总结和推荐


    综合评估:
    - SFT1350-H是一款高性能的P沟道功率MOSFET,具有低热阻封装、高可靠性测试和稳定的栅源阈值电压等特点。
    - 适用于电力系统、工业控制等领域,能够在高压直流电源转换中提供卓越的能量转换效率。
    - 建议在高要求的应用环境中使用,并确保良好的散热设计。
    推荐结论:
    - 强烈推荐使用SFT1350-H,特别是对于需要高效能量转换且要求高可靠性的应用场景。

SFT1350-H-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 65A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SFT1350-H-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SFT1350-H-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SFT1350-H-VB SFT1350-H-VB数据手册

SFT1350-H-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 3.1792
30+ ¥ 2.8374
100+ ¥ 2.1261
2500+ ¥ 2.0466
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