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UTF3055L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: UTF3055L-AE3-R-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTF3055L-AE3-R-VB

UTF3055L-AE3-R-VB概述

    UTF3055L-AE3-R 电子元器件技术手册

    产品简介


    产品名称: UTF3055L-AE3-R
    产品类型: N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
    主要功能: 高效开关,适用于负载开关及便携式设备
    应用领域: 负载开关,便携式设备(如智能手机、平板电脑)

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDS): 60 V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C: 4 A
    - TC = 70°C: 2.5 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):
    - TC = 25°C: 7.2 A
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 2.5 W
    - 工作结温及存储温度范围: -55°C 到 150°C
    - 静态参数
    - 漏极-源极击穿电压 (VDS): 60 V
    - 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)): 1.5 V
    - 栅极-源极泄漏 (IGSS): ±100 nA
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): 1 µA
    - 开态漏极电流 (ID(on)): 4.5 A
    - 开态漏极源极电阻 (RDS(on)): 0.076 Ω (VGS = 10 V)
    - 前向转移电导 (gfs): 45 S
    - 输入电容 (Ciss): 120 pF
    - 输出电容 (Coss): 100 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 22 nC (VGS = 10 V)
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 2.5 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 1.7 nC
    - 栅极电阻 (Rg): 2.4 Ω
    - 开启延迟时间 (td(on)): 15 ns (VDD = 10 V, RL = 1.5 Ω)
    - 上升时间 (tr): 10 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 35 ns
    - 下降时间 (tf): 10 ns
    - 动态参数
    - 源极-漏极二极管正向电压 (VSD): 0.8 V (IS = 6.7 A)
    - 二极管反向恢复时间 (trr): 20 ns
    - 二极管反向恢复电荷 (Qrr): 10 nC
    - 二极管反向恢复上升时间 (ta): 10 ns
    - 二极管反向恢复下降时间 (tb): 10 ns

    产品特点和优势


    - 环保材料: 罗马标准符合,无卤素
    - 高集成度: TrenchFET® 技术,提高开关效率
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 降低功耗,适用于高效率要求的应用
    - 快速响应: 低开启延迟时间和上升时间,确保高效能应用
    - 高可靠性: 在极端温度下仍能稳定工作

    应用案例和使用建议


    - 应用场景: 便携式设备的负载开关,适用于需要高效率和快速响应的场合。
    - 使用建议:
    - 在使用过程中,应避免超出绝对最大额定值,以保证产品寿命。
    - 为确保良好的热管理,建议使用适当的散热片。
    - 根据具体应用需求选择合适的栅极电阻,以达到最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品采用 SOT89 封装,易于安装且与多种 PCB 设计兼容。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括 RoHS 合规性认证和故障排查指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品启动时出现不稳定现象
    解决方法: 检查是否已正确接地并确保所有连接均正常。
    - 问题2: 产品工作温度过高
    解决方法: 使用适当的散热措施,如散热片或散热风扇,以维持合理的工作温度。
    - 问题3: 产品无法正常开关
    解决方法: 确认驱动信号的电压是否满足规格要求,检查外部电路是否有干扰。

    总结和推荐


    综合评估: UTF3055L-AE3-R 是一款高性能、低功耗的 N-Channel MOSFET,特别适合便携式设备的负载开关应用。它具备环保材料、高集成度和快速响应等优势,能够满足大多数高效率开关的需求。
    推荐意见: 强烈推荐在高效率开关应用中使用 UTF3055L-AE3-R,尤其是在便携式设备领域。该产品的优异性能和可靠性将显著提升整体系统的性能和用户体验。

UTF3055L-AE3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,88mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTF3055L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTF3055L-AE3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTF3055L-AE3-R-VB UTF3055L-AE3-R-VB数据手册

UTF3055L-AE3-R-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
库存: 400000
起订量: 35 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:35
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型号 价格(含增值税)
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