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R5011FNX-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: R5011FNX-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) R5011FNX-VB

R5011FNX-VB概述


    产品简介


    R5011FNX 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,专为各种高要求应用设计。该器件采用了最优设计,具备低面积特异性导通电阻(Low Area Specific On-Resistance)、低输入电容(Ciss)及减少的电容开关损耗(Reduced Capacitive Switching Losses)等特点。这些特性使其具有极高的体二极管坚固度(High Body Diode Ruggedness)并能够承受重复脉冲电压(Avalanche Energy Rated)。它适用于消费电子产品、服务器和电信电源供应系统、工业焊接、感应加热及电机驱动等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅源电压(VGS) | - | ±20 | V |
    | 漏源电压(VDS) | 550 | - | V |
    | 导通电阻(RDS(on))| 0.26 | - | Ω |
    | 总栅极电荷(Qg) | 80 | 150 | nC |
    | 输入电容(Ciss) | - | 3094 | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | 152 | - |
    | 有效输出电容(Co(er)) | - | 131 | - |
    | 有效输出电容(Co(tr)) | - | 189 | - |
    | 工作温度范围(Tj, Tstg)| -55 至 +150 | - | °C |

    产品特点和优势


    R5011FNX 的主要优势在于其低导通电阻和低输入电容,使其在高频切换应用中表现出色。此外,其坚固的体二极管特性确保了在短路情况下的可靠性。在效率方面,低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on))相结合使得 FOM(Figure-of-Merit)较低,从而实现快速开关操作。这种设计不仅简化了电路布局,还降低了成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 消费电子产品:应用于液晶电视和等离子电视中,提供高效的电源管理。
    2. 服务器和电信电源:在开关模式电源供应(SMPS)中用于功率因数校正(PFC),以提高效率。
    3. 工业应用:例如焊接、感应加热和电机驱动,这些领域需要高可靠性及高效能。
    使用建议
    在使用 R5011FNX 时,需要注意选择合适的驱动电路以保证稳定的栅极信号。同时,在高温环境下,应注意散热设计,避免器件过热损坏。

    兼容性和支持


    R5011FNX 采用 TO-220 FULLPAK 封装,方便安装。制造商提供了详细的规格和技术支持文档,客户可以访问官方网站获得最新的产品信息和应用指南。对于复杂的应用场景,建议与专业工程师进行咨询以确保最佳效果。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保提供稳定的栅极信号。
    2. 问题:温度过高导致器件失效
    - 解决方案:改进散热设计,增加外部散热片或风扇来降低工作温度。
    3. 问题:开关速度慢
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻(Rg),优化驱动电路,减小寄生电感。

    总结和推荐


    R5011FNX 在各方面均表现出优异性能,特别是在低导通电阻和低栅极电荷方面。其适用于多种应用,特别是在高频和高可靠性要求的场合。考虑到其出色的性价比和广泛的应用范围,我们强烈推荐这款产品。对于需要高效能、高可靠性的应用场合,R5011FNX 是一个值得考虑的选择。

R5011FNX-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

R5011FNX-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

R5011FNX-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 R5011FNX-VB R5011FNX-VB数据手册

R5011FNX-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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