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K2003-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K2003-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2003-01MR-VB

K2003-01MR-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET K2003-01MR-VB 技术手册解析

    产品简介


    K2003-01MR-VB 是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET,专为高效率和高可靠性设计。它主要应用于各种电力转换系统中,如开关电源、电机驱动、照明系统及新能源汽车等领域。这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,能够在各种严苛的工作环境中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 数值 |

    | 漏源电压 VDS | 650 V |
    | 导通电阻 RDS(on) (VGS=10V) | 2.5 Ω |
    | 总栅极电荷 Qg(max) | 48 nC |
    | 栅源电荷 Qgs | 12 nC |
    | 栅漏电荷 Qgd | 19 nC |
    | 最大连续漏电流 ID (TC=100°C) | 3.8 A |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 325 mJ |
    | 雪崩击穿电压(重复) VBR(RMS) | 650 V |
    | 高温漏极电流 IDSS (TJ=125°C) | 250 µA |
    | 栅漏电容 Coss | 177 pF |
    | 正向导通压降 VSD (TJ=25°C) | 1.5 V |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: K2003-01MR-VB 具有低栅极电荷,这意味着驱动要求相对简单,有助于降低功耗并提高效率。
    - 高可靠性: 改进了栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性,使得其在恶劣环境下的表现更稳定。
    - 全面的电容和雪崩特性: 电容和雪崩电压及电流均已充分测试和表征,确保产品的可靠性。
    - 符合RoHS标准: 产品符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的规定,环保且安全。

    应用案例和使用建议


    K2003-01MR-VB 广泛应用于各种电力转换系统,例如:
    - 开关电源:由于其低导通电阻和高效率,适合用于各种DC-DC转换器。
    - 电机驱动:其快速开关特性和高可靠性使其成为电机驱动的理想选择。
    - 照明系统:适用于LED驱动电路,确保高效和稳定的输出。
    使用建议:
    - 在设计时应注意散热管理,确保产品在高功率运行时不超温。
    - 考虑到其高耐雪崩能力,设计时可以减少外部保护电路的需求,从而简化系统设计。

    兼容性和支持


    K2003-01MR-VB 采用TO-220 FULLPAK封装,易于安装和焊接。制造商提供详尽的技术支持,包括产品手册、应用指南和故障排除文档。此外,还提供在线技术支持,帮助客户解决问题并优化应用设计。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热问题 | 确保良好的散热措施,使用合适的散热片或散热器。|
    | 开关频率过高导致过热 | 适当降低开关频率,以减少热量产生。 |
    | 雪崩击穿电压不足 | 确认连接正确,并检查电源电压是否超出限制。|

    总结和推荐


    总体而言,K2003-01MR-VB 是一款卓越的N沟道650V功率MOSFET,具备优异的性能和可靠性。其低栅极电荷、高可靠性和高雪崩耐受性使其非常适合用于电力转换系统中的关键应用。结合制造商提供的全面支持和技术文档,使得其成为市场上极具竞争力的产品之一。
    我们强烈推荐使用K2003-01MR-VB 在需要高效和可靠性能的应用中,如开关电源、电机驱动和照明系统。

K2003-01MR-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2003-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2003-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2003-01MR-VB K2003-01MR-VB数据手册

K2003-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.9796
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1000+ ¥ 1.8212
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