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EM6K31N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.2A,RDS(ON),1200mΩ@10V,1500mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.4Vth(V) 封装:SC75-6
供应商型号: EM6K31N-VB SC75-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) EM6K31N-VB

EM6K31N-VB概述

    EM6K31N-VB Dual N-Channel 60 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    EM6K31N-VB 是一款高性能的双 N-沟道功率 MOSFET,属于 TrenchFET® 系列。该产品主要应用于便携式设备中的负载/电源开关,以及驱动继电器、电磁铁、灯、击锤、显示屏和存储器等多种应用。此外,它还适用于电池供电系统和电源转换电路。

    技术参数


    以下是 EM6K31N-VB 的关键技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):60 V
    - 最大栅源电压 (VGS):± 12 V
    - 连续漏极电流 (ID):25 °C 时为 0.3 A,在 70 °C 时为 0.25 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):2 A
    - 连续源漏二极管电流 (IS):25 °C 时为 0.18 A
    - 最大功率耗散 (PD):25 °C 时为 0.22 W,在 70 °C 时为 0.14 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ 和 Tstg):-55°C 到 150°C
    - 静态门泄漏电流 (IGSS):在 60 V 下,正负 8 V 时为 ± 30 µA
    - 阈值电压 (VGS(th)):温度系数为 -1.8 mV/°C
    - 输入电容 (Ciss):4 pF
    - 输出电容 (Coss):14 pF
    - 反向传输电容 (Crss):8 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):在 10 V 下,为 1.3 nC
    - 栅极电阻 (Rg):2.4 Ω
    - 导通延迟时间 (td(on)):11 ns
    - 关断延迟时间 (trr):10 ns

    产品特点和优势


    EM6K31N-VB 具有多项独特的优势:
    - 高可靠性:100% 经过 Rg 测试,确保高可靠性。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):典型值为 1.200 Ω(在 10 V 下),这使得它在各种负载下具有出色的性能。
    - 快速开关速度:优秀的动态特性,如低导通延迟时间和关断延迟时间,提高了系统的整体效率。
    - 紧凑封装:采用 SC-89 封装,便于安装在 1" x 1" 的 FR4 板上,适合多种便携式设备应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于便携式设备中的负载开关,如手机充电器和笔记本电脑电源适配器。
    - 驱动电磁阀和继电器,以控制小型电动机和执行机构。
    使用建议:
    - 在选择外部驱动电路时,考虑使用较低的栅极电阻 (Rg),以减少导通延迟时间 (td(on)),从而提高开关速度。
    - 确保在应用中保持适当的散热措施,特别是在高电流和高温度环境下使用时。

    兼容性和支持


    EM6K31N-VB 可与其他标准的 SOT-563F 封装的组件兼容。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,以确保客户能够充分利用其性能优势。此外,用户可以通过服务热线 400-655-8788 获取更多帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何判断 MOSFET 是否过热?
    - 解决办法:定期检查 MOSFET 的温度,确保不超过额定的最大工作温度 150°C。如果温度过高,可以增加散热片或改善散热设计。
    2. 问题:在高电流条件下,MOSFET 容易损坏吗?
    - 解决办法:在设计中加入适当的保护措施,如限流电阻和热敏电阻,以防止电流过大导致损坏。

    总结和推荐


    EM6K31N-VB 双 N-通道 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种便携式设备和电池供电系统。其低导通电阻、快速开关特性和紧凑封装使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效能和高可靠性的应用场景中。
    通过以上详细的技术手册解析,您可以更好地了解 EM6K31N-VB 的功能和优势,有助于您在选择和应用该产品时做出明智的决策。

EM6K31N-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 200mA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1200mΩ@10V,1500mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 400mV
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SC-75-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

EM6K31N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

EM6K31N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 EM6K31N-VB EM6K31N-VB数据手册

EM6K31N-VB封装设计

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