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UPA1707G-E1-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UPA1707G-E1-A-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1707G-E1-A-VB

UPA1707G-E1-A-VB概述

    UPA1707G-E1-A N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    UPA1707G-E1-A 是一款适用于笔记本电脑CPU核心高边同步整流操作的N沟道MOSFET。这款器件具有出色的低导通电阻特性(典型值为0.008Ω),可确保高效电流传输,同时保持紧凑的SO-8封装形式。UPA1707G-E1-A 广泛应用于笔记本CPU的核心高边开关电路中,提供可靠的电力管理解决方案。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 栅极-源极电压:±20 V
    - 漏极-源极电压:30 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):9 A (TC = 25 °C),7 A (TA = 70 °C)
    - 单脉冲雪崩电流:20 A
    - 最大功率耗散(TC = 25 °C):4.1 W
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 电气特性:
    - 静态漏极-源极击穿电压:30 V
    - 阈值电压:1.0 V 至 3.0 V
    - 门限电压漏电电流:±100 nA
    - 导通漏极电流:20 A
    - 漏极-源极导通电阻(VGS = 10 V, ID = 10 A):0.008 Ω
    - 动态栅极电荷:15 nC 至 23 nC
    - 开启延迟时间:8 ns 至 23 ns
    - 关闭延迟时间:16 ns 至 22 ns

    产品特点和优势


    - Halogen-Free设计:采用无卤素材料,满足环保标准。
    - 优化高边同步整流操作:特别设计用于高边同步整流,提高系统效率。
    - 100% 测试:所有产品均通过栅极电阻测试和单脉冲雪崩测试。
    - 耐高温性能:宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C),适合各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    - 笔记本CPU核心高边开关:UPA1707G-E1-A 在笔记本电脑的电源管理中发挥着重要作用,确保高效的电流控制和低功耗。
    - 电源转换器:在电源转换器中,UPA1707G-E1-A 可用于高边同步整流,提升整体能效。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免长时间高负载运行导致过热。
    - 使用合适的驱动电路以优化开关速度,减少开关损耗。
    - 考虑到高温环境,建议选择适当的散热片来提高可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UPA1707G-E1-A 支持SO-8封装,易于集成到现有电路板中,与多种控制器兼容。
    - 厂商支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括常见问题解答和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET在高温下失效。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或外部冷却系统。

    - 问题:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路并确保使用正确的门极电阻。

    总结和推荐


    UPA1707G-E1-A 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适用于笔记本电脑和其他需要高效率和高稳定性的应用场景。其优秀的导通电阻和宽广的工作温度范围使其成为市场上的佼佼者。鉴于其卓越的特性和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用这款产品。
    如有任何疑问,可联系VBsemi的服务热线:400-655-8788 获取更多支持和服务。

UPA1707G-E1-A-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 11A
配置 -
Vgs-栅源极电压 15V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1707G-E1-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1707G-E1-A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1707G-E1-A-VB UPA1707G-E1-A-VB数据手册

UPA1707G-E1-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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