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K2101-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K2101-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2101-01MR-VB

K2101-01MR-VB概述


    产品简介




    K2101-01MR-VB 是一款N-Channel 800V超级结功率MOSFET(场效应晶体管),适用于多种电子设备中的高压开关应用。它具有快速开关、易于并联和低栅极驱动要求等特点,符合RoHS标准,适合在各种工业、消费电子和其他高压应用领域中使用。


    技术参数




    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDS):800V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):1.2Ω(VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 (Qg):200nC
    - 栅源电荷 (Qgs):24nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):110nC
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):770mJ
    - 最大重复雪崩电流 (IAR):7.8A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR):19mJ
    - 最大功率耗散 (PD):190W
    - 最大峰值二极管恢复电压 (dV/dt):2.0V/ns

    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C
    - 峰值焊接温度:300°C(10秒)


    产品特点和优势




    K2101-01MR-VB 的主要优势包括:
    - 动态dv/dt额定值:可承受高瞬态电压。
    - 重复雪崩额定值:能够处理多次重复雪崩事件,适用于高可靠性需求的应用。
    - 隔离中心安装孔:简化安装过程,提高可靠性。
    - 快速开关:降低开关损耗,提高效率。
    - 容易并联:有助于实现高电流应用的需求。
    - 简单驱动要求:降低了系统复杂度,节省成本。
    - 符合RoHS标准:环保设计,符合欧盟法规。


    应用案例和使用建议




    应用案例:K2101-01MR-VB 适用于高压开关电源、电机驱动和逆变器等领域。例如,在高压直流转换器中,它可以用于将高压直流转换为低压直流,以满足不同的电力需求。

    使用建议:
    - 确保正确的驱动电压和电流以避免过载。
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计以保持良好的工作状态。
    - 在并联使用多个K2101-01MR-VB时,确保每个器件的电流分配均匀。


    兼容性和支持




    K2101-01MR-VB 可与其他常见的电子元件和设备兼容,适用于标准的电路板组装和测试。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用该产品的能力。对于特定的应用需求,也可以咨询技术支持团队获取专业建议。


    常见问题与解决方案




    - 问题1:如何确定合适的驱动电压?
    - 解答:根据K2101-01MR-VB 的规格表,建议使用10V的驱动电压,这可以确保MOSFET处于最佳工作状态。

    - 问题2:如何防止过热?
    - 解答:设计良好的散热系统是关键。可以使用散热片或风扇来增强散热效果,特别是在连续高负载运行的情况下。


    总结和推荐




    K2101-01MR-VB N-Channel 800V超级结功率MOSFET 是一款高性能的产品,特别适用于高压开关应用。其出色的动态特性、可靠的设计和环保标准使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在高压开关、电机驱动和逆变器等应用中使用此产品。

K2101-01MR-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 800V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2101-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2101-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2101-01MR-VB K2101-01MR-VB数据手册

K2101-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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