处理中...

首页  >  产品百科  >  RSD150N06FRA-VB

RSD150N06FRA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: RSD150N06FRA-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RSD150N06FRA-VB

RSD150N06FRA-VB概述

    RSD150N06FRA 60V N-Channel TrenchFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    RSD150N06FRA 是一款高性能的 60V N-Channel 沟槽式功率 MOSFET。 它具有出色的导通电阻(rDS(on)),适用于多种电源管理和开关应用。这种 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构,能够提供低损耗、高效率的电力转换解决方案,特别适合于工业控制、消费电子产品以及电动汽车充电系统等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 V(BR)DSS | 60 V |
    | 栅极阈值电压 VGS(th) | 1.0 | 2.0 | 3.0 | V |
    | 栅极体漏电流 IGSS | ± 100 nA |
    | 零栅极电压漏电流 IDSS | 1 50 | µA |
    | 导通电阻 rDS(on) @ 10V | 0.025 0.069 | Ω |
    | 输入电容 Ciss | 1500 pF |
    | 输出电容 Coss | 140 pF |
    | 反向传输电容 Crss | 60 pF |
    | 总栅极电荷 Qg | 11 | 17 nC |
    | 工作温度范围 TJ, Tstg | -55 175 | °C |
    | 绝缘电阻 RthJA | 18 22 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    RSD150N06FRA 的独特功能和优势:
    - 低导通电阻(rDS(on)): 在 10V 栅极电压下,rDS(on) 达到 0.025Ω,在相同条件下其阻值甚至可低至 0.069Ω。这有助于减少功耗并提高电路的整体效率。
    - 高温性能优异: 能承受高达 175°C 的结温,确保在严苛环境下稳定运行。
    - 低栅极电荷 Qg: 仅为 11-17nC,减少驱动器的负担和功耗,从而降低整个系统的成本。
    - 快速开关性能: 具有较低的输入和输出电容,以及较短的开关时间(td(on), td(off), tr, tf),能够实现高效快速的转换。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 开关电源: 利用其低导通电阻和快速开关性能,可以有效降低开关损耗。
    - 电池管理系统: 特别适合需要高耐温性的电池充电和放电管理。
    - 电机控制: 用于驱动电机,提升整体能效。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,合理选择 PCB 布局以优化散热,确保器件稳定运行。
    - 对于高频应用,注意匹配栅极电阻,以防止过高的栅极噪声干扰。
    - 通过合理设计驱动电路,最大化利用其低栅极电荷和快速开关性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 封装形式: TO-252AA,便于焊接和安装。
    - 兼容其他标准 TO-252 设备。
    支持和服务:
    - 制造商技术支持: 客户可通过台湾 VBsemi 的客户服务热线 400-655-8788 获取全面的技术支持。
    - 文档资源: 包含详细的规格书和技术手册,方便用户查阅和应用。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - Q1: 为什么测量到的导通电阻比预期高?
    - A: 可能是由于温度影响,检查环境温度是否超出规格范围。另外,确认正确的栅极电压是否已施加。

    - Q2: 开关过程中出现了异常噪声。
    - A: 检查电路布局,确保适当的去耦电容和接地设计。调整栅极电阻以优化开关速度。

    7. 总结和推荐


    总结与推荐:
    RSD150N06FRA 在导通电阻、温度耐受性和快速开关性能方面表现出色,是一款适用于多种电力应用的理想选择。其低导通电阻和高可靠性使其成为电源管理、电池管理系统以及电机控制领域的首选组件。建议在所有相关的电力转换和控制应用中使用,以获得最佳性能和稳定性。

RSD150N06FRA-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 45A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RSD150N06FRA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RSD150N06FRA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RSD150N06FRA-VB RSD150N06FRA-VB数据手册

RSD150N06FRA-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831