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K3480-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K3480-Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3480-Z-VB

K3480-Z-VB概述

    K3480-Z-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K3480-Z-VB 是一款由台湾 VBsemi 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高可靠性和出色的电气性能。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,使其能够承受高达 175°C 的结温,适用于恶劣的工作环境。K3480-Z-VB 主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器和电池管理系统等领域。

    技术参数


    以下是 K3480-Z-VB 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 100 | — | — | V |
    | 漏极连续电流(TJ = 175°C)| ID | 40 | — | 55 | A |
    | 导通电阻(VGS = 10 V) | rDS(on) | 0.036 | — | 0.050 | Ω |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | 1 | — | 250 | µA |
    | 开启时间延迟 | td(on) | 11 | — | 20 | µs |
    | 关闭时间延迟 | td(off) | 30 | — | 45 | µs |
    | 热阻(Junction-to-Ambient) | RthJA | 40 | — | — | °C/W |
    其他关键特性包括:
    - 低热阻封装,适合高效散热;
    - 结温范围:-55°C 至 175°C;
    - RoHS 合规,符合环保要求。

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:K3480-Z-VB 能够在极端温度环境下稳定运行,适合工业和汽车电子领域。
    2. 高性能 TrenchFET 技术:导通电阻低,开关速度快,能显著降低功耗。
    3. 兼容性好:支持多种工作条件,满足不同应用场景需求。
    4. 高性价比:优异的性能和合理的价格使其成为许多设计的理想选择。

    应用案例和使用建议


    典型应用
    - 开关电源:作为主控开关管,提供高效的能量转换。
    - 电机驱动:用于控制电机的正反转和调速。
    - 电池管理系统:保护电池免受过流和过压影响。
    使用建议
    - 在高频开关电路中,建议使用较低的栅极电阻以减少开关损耗。
    - 若需更高效率,可结合散热片优化热管理。
    - 设计时需注意散热设计,避免因温度过高导致性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K3480-Z-VB 可直接替换市场上常见的同类产品,如 Fairchild 和 Infineon 的部分型号。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和客户支持服务,确保用户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻偏高
    - 原因:工作温度较高或散热不足。
    - 解决方法:增加散热片或优化 PCB 布局。
    2. 问题:栅极振荡
    - 原因:电路设计中存在寄生电感。
    - 解决方法:增加栅极电阻或优化 PCB 布线。
    3. 问题:失效
    - 原因:超出了绝对最大额定值。
    - 解决方法:严格遵守手册中的工作条件限制。

    总结和推荐


    K3480-Z-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,尤其适合高温和高频工作环境。凭借其出色的导通电阻、高耐温性和低热阻封装,它在多个领域的应用表现出色。总体而言,该产品值得推荐给需要高效能、高稳定性的设计项目。
    推荐指数:★★★★★

K3480-Z-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 55A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3480-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3480-Z-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3480-Z-VB K3480-Z-VB数据手册

K3480-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.419
1000+ ¥ 2.3183
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