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LML6346G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: LML6346G-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LML6346G-VB

LML6346G-VB概述

    LML6346G N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:
    LML6346G 是一款N沟道30V(漏-源)功率MOSFET,采用SOT-23封装。
    主要功能:
    该产品采用了先进的TrenchFET®工艺,具备低导通电阻(RDS(on))、高开关速度及低输入电容等特性,使其适用于多种电力电子应用。
    应用领域:
    广泛应用于DC/DC转换器等电源管理电路中,例如服务器、电信设备、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏-源电压 (VDS) | - | 30 | - | V |
    | 持续漏电流 (ID) | - | 6.5 | - | A |
    | 门极-源极电压 (VGS)| ±20 V |
    | 最大功耗 (PD) | - | 1.7 | 25 | W |
    | 漏-源击穿电压 (VDS)| 30 V |
    | 导通状态电阻 (RDS(on)) | 0.030 0.033 | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 4.5 | 6.7 | 3.2 | nC |
    工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    产品特点:
    - 高效能:低RDS(on),使功率损耗最小化。
    - 快速开关速度:提高效率并减少电磁干扰。
    - 符合RoHS和无卤素标准,环保且可靠。
    优势:
    - 在高电流应用中表现出色,特别是在直流转换器中。
    - 具有低噪声和高性能,适用于要求严格的工业和汽车电子系统。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    LML6346G 广泛用于DC/DC转换器,如在服务器电源模块中的高效能转换。
    使用建议:
    - 确保良好的散热措施,以保持器件温度低于最大限制。
    - 在设计时考虑电路布局,以避免信号干扰。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与同类N沟道MOSFET具有良好的兼容性,可直接替换。
    支持:
    - 厂商提供详尽的技术文档和客服支持,确保客户能够顺利应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 调整门极驱动电阻 |
    | 温度过高 | 改善散热设计或增加外部散热片 |
    | 电流不足 | 检查电源连接和负载状况 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    LML6346G N沟道30V MOSFET 具备出色的电气性能和高可靠性,尤其适合于高电流和高频应用场景。其紧凑的SOT-23封装使得其易于集成到各类设备中,且在成本效益方面表现优秀。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和适用范围,强烈推荐在需要高效能电力转换的场合使用LML6346G。

LML6346G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6.5A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

LML6346G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LML6346G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LML6346G-VB LML6346G-VB数据手册

LML6346G-VB封装设计

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