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K60S06K3L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: K60S06K3L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K60S06K3L-VB

K60S06K3L-VB概述

    N-Channel 60V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    N-Channel 60V MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管(Field Effect Transistor),主要应用于开关电源、逆变器、直流电机驱动等领域。这种 MOSFET 采用 TrenchFET® 技术制造,具有低导通电阻和高耐压能力,适合在高压环境中运行。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)):2.0V 至 4.0V
    - 最大功率耗散 (PD):136W @ TC = 25°C, 45W @ TC = 125°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 电气特性
    - 漏极连续电流 (ID):97A @ TC = 25°C, 56A @ TC = 125°C
    - 栅极电阻 (Rg):1Ω 至 3Ω
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):1μA @ VDS = 60V, TJ = 125°C
    - 热阻抗
    - 结到环境热阻 (RthJA):50°C/W
    - 结到外壳热阻 (RthJC):1.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V 时为 0.0050Ω,适用于高效率应用。
    - 高可靠性:100% 经过 Rg 和 UIS 测试,确保产品的稳定性和耐用性。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境下正常工作。
    - 高耐压能力:能承受高达 60V 的漏源电压。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:此 MOSFET 可用于汽车电子、工业控制、消费电子等领域,例如用于电动汽车的电池管理系统、太阳能逆变器等。
    - 使用建议:在设计电路时,需注意散热问题,选择合适的散热片和 PCB 布局以保证良好的散热效果。此外,应注意门极驱动电路的设计,以避免过高的电压对 MOSFET 造成损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 与市面上常见的 PCB 尺寸兼容,可广泛应用于各种标准电路板。
    - 技术支持:VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的产品手册、设计指南和技术咨询服务,帮助客户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:门极电压过高导致 MOSFET 损坏。
    - 解决方案:使用适当的栅极电阻 (Rg) 并确保门极驱动电路设计合理,避免过高的电压施加到门极。
    - 问题:散热不足导致 MOSFET 过热。
    - 解决方案:增加散热片面积或改善 PCB 布局,提高整体散热效率。

    7. 总结和推荐


    这款 N-Channel 60V MOSFET 在多种应用场合中表现出色,具有低导通电阻、高可靠性及宽工作温度范围等特点。无论是用于高压环境还是需要高效率的应用,都是一款值得信赖的选择。强烈推荐给需要高效能 MOSFET 的工程师和设计师们。

K60S06K3L-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 110A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K60S06K3L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K60S06K3L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K60S06K3L-VB K60S06K3L-VB数据手册

K60S06K3L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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起订量: 10 增量: 2500
交货地:
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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15N10 ¥ 0.336
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