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SOT2304SRG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: SOT2304SRG-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SOT2304SRG-VB

SOT2304SRG-VB概述

    # VBsemi N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBsemi 的 N-Channel 30-V MOSFET 是一款高效能、低导通电阻(RDS(on))的功率场效应管,采用先进的 TrenchFET 技术制造。此款器件专为高效率转换应用设计,广泛应用于 DC/DC 转换器等领域。其无卤化材料符合 IEC 61249-2-21 定义,同时满足 RoHS 指令要求。
    主要特点:
    - 类型:N-Channel MOSFET
    - 工作电压:30V
    - 最大连续电流:6.5A
    - 导通电阻:最低至 0.030Ω(VGS = 10V)
    - 典型输入电容:335pF(VDS = 15V, VGS = 0V)
    应用领域:
    - DC/DC 转换器
    - 开关电源设计
    - 电机控制电路
    - 电池管理电路

    技术参数


    | 参数 | 值范围 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 30 | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 0.7 ~ 2.0 | V |
    | 最大栅源漏电流 (IDSS) | 1μA | mA |
    | 导通状态电阻(RDS(on)) | 0.030 ~ 0.033 | Ω |
    | 总栅极电荷(Qg) | 4.5 ~ 6.7 | nC |
    | 工作温度范围(TJ) | -55 ~ +150 | °C |
    | 最大功耗(PD) | 1.7 | W |
    | 热阻抗(RthJA) | 90 ~ 115 | °C/W |

    产品特点和优势


    VBsemi 的 N-Channel 30-V MOSFET 在业内具备多项优势:
    1. 高效能:采用 TrenchFET 技术,导通电阻极低,可显著降低功耗,提高效率。
    2. 高可靠性:100% Rg 测试确保产品质量,符合 RoHS 和无卤化标准。
    3. 适应性强:支持广泛的电压和温度范围,适合复杂应用场景。
    4. 小型封装:采用 TO-236 (SOT-23) 封装,节省空间,便于集成。
    该产品在 DC/DC 转换器中表现尤为优异,可显著提升转换效率,尤其适用于对尺寸和效率要求较高的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. DC/DC 转换器:用于电压调节,降低损耗。
    2. 开关电源设计:用于实现高效的电源转换。
    使用建议:
    - 散热设计:由于最大功耗可达 1.7W,建议设计时增加散热片或优化 PCB 散热路径。
    - 输入电容匹配:根据应用需求选择合适的输入电容值,以减少寄生振荡。
    - 驱动电路优化:合理选择栅极电阻值,以平衡开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    该器件与市面上主流的 DC/DC 控制芯片高度兼容,如 TI 的 LM2596 系列。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,客户可通过公司官网或服务热线(400-655-8788)获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关时间过长 | 调整栅极电阻,减小 Rg 值 |
    | 温度过高 | 改善散热措施,增加散热片或改进 PCB 设计 |
    | 输出电流不足 | 检查外围电路参数是否匹配 |

    总结和推荐


    VBsemi 的 N-Channel 30-V MOSFET 在导通电阻、温度范围和可靠性方面表现出色,是高性能 DC/DC 转换器的理想选择。其小型封装、无卤化设计和良好的兼容性使其成为广泛应用的理想解决方案。
    推荐使用场景:适用于需要高效能、小型化和强可靠性要求的应用场合,如工业控制、消费类电子产品及通信设备。
    总体评价:高性价比、高效能的功率器件,强烈推荐!
    如需进一步了解详细信息,请访问 [VBsemi 官网](www.VBsemi.com) 或直接联系客户服务团队:400-655-8788。

SOT2304SRG-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Id-连续漏极电流 6.5A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SOT2304SRG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SOT2304SRG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SOT2304SRG-VB SOT2304SRG-VB数据手册

SOT2304SRG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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